Zobrazeno 1 - 10
of 27
pro vyhledávání: '"T. Zirkle"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Analog and Digital Signal Processing. 47:1145-1151
The composite triple-beat (CTB) distortion of a cable television amplifier was simulated using numerical device simulation. The structures for the underlying bipolar transistors were created using numerical process simulation. Subsequent time-domain
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8a96e1bb011bce8f2525a7e4caeeb4a4
https://doi.org/10.1109/82.885122
https://doi.org/10.1109/82.885122
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
SISPAD '97. 1997 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices. Technical Digest.
This paper demonstrates a methodology for systematic calibration of models in process simulators and its impact on improvement of accuracy and predictive capability of a TCAD system. A software tool for calibration with numerical optimization has bee
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4bde7bf4360560f4d2232cde62395f05
https://doi.org/10.1109/sispad.1997.621390
https://doi.org/10.1109/sispad.1997.621390
Autor:
C. Lesher, H. Rueda, M. Ting, Matthew W. Menner, W.M. Huang, D. Hammock, F.K. Chai, R. Cross, M. Griswold, C. Small, A. Duvallet, S. Bigelow, B. Gardner, T. Zirkle, S. Stewart, A. Irudayam, J. Heddleson, I. To, J. McGinley, S. Hildreth, T. Meixner, D. Morgan, P. Dahl, J. Kirchgessner, Pamela J. Welch, P. Meng, D. Monk
Publikováno v:
Proceedings of the 2001 BIPOLAR/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (Cat. No.01CH37212).
A fully modular 0.18 /spl mu/m SiGe:C RFBiCMOS technology is described which has been developed for wireless and gigabit optical communication applications. This technology is based upon a 0.18 /spl mu/m low-power CMOS platform with dual gate oxide M
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f4863b465f29eda24ba70f4f36f7da3d
https://doi.org/10.1109/bipol.2001.957879
https://doi.org/10.1109/bipol.2001.957879
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Proceedings of 1994 IEEE International Reliability Physics Symposium RELPHY-94.
Hot carrier (HC) reliability tests on 0.5 /spl mu/m BiCMOS NPN transistors indicate that process and structural factors both impact HC reliability. Important process factors include the dopant profiles in the emitter, active base, link base and extri
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b615b6ee70b7edb99f40388498f5a840
https://doi.org/10.1109/relphy.1994.307863
https://doi.org/10.1109/relphy.1994.307863