Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"T. Yosho"'
Autor:
A. Sakata, S. Yamashita, S. Omoto, M. Hatano, J. Wada, K. Higashi, H. Yamaguchi, T. Yosho, K. Imamizu, M. Yamada, M. Hasunuma, S. Takahashi, A. Yamada, T. Hasegawa, K. Motoyama, M. Tagami, T. Kitano, H. Kaneko, Shinichi Ogawa, Paul S. Ho, Ehrenfried Zschech
Publikováno v:
AIP Conference Proceedings.
Titanium (Ti) has been proposed as an excellent barrier metal (BM) material for ULSI's Cu metallization from the stand point of two characteristics. One is the oxidation property, especially for the porous low‐k ILD materials for 45 nm node device;
Autor:
K. Higashi, T. Yosho, H. Shibata, T. Fujimaki, Seiichi Omoto, A. Sakata, Soichi Yamashita, H. Yamaguchi, Noriaki Matsunaga, Y. Enomoto
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Autor:
K. lmamizu, Shingo Takahashi, T. Yosho, Toshiaki Hasegawa, Soichi Yamashita, A. Yamada, Hisashi Kaneko, Masaki Yamada, Masahiko Hasunuma, Atsuko Sakata, Masaaki Hatano, H. Yamaguchi, Junichi Wada, Kazuyuki Higashi, Seiichi Omoto
Publikováno v:
2006 International Interconnect Technology Conference.
This paper elucidated for the first time that titanium (Ti) is an excellent barrier metal (BM) material from the stand point of cost and performance, especially for the porous low-k ILD materials. Both stress induced voiding (SIV) suppression and one
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.