Zobrazeno 1 - 10
of 29
pro vyhledávání: '"T. Wikstrom"'
Publikováno v:
2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
Publikováno v:
IEEE Transactions on Power Electronics. 18:23-29
This paper presents the comparison of two 4.5 kV diodes with expanded safe operating area (SOA) in terms of an expansion to higher line voltages. In order to improve the reverse recovery characteristic the excess carrier concentration close to the an
Publikováno v:
12th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs. Proceedings (Cat. No.00CH37094).
This paper discusses the design of high-voltage Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs), especially the effects on the on-state excess carrier distribution and its consequences for the IGBT's on-state, turn-off and Safe Operating Area (SOA) proper
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
G, TRONNBERG, T, WIKSTROM
Publikováno v:
Tidskrift i militar halsovard. 79(3)
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.