Zobrazeno 1 - 10
of 12
pro vyhledávání: '"T. Wehnert"'
Autor:
T. Wehnert, F. Poser, E. Steimetz, Holm Kirmse, Wolfgang Richter, J.-T. Zettler, Wolfgang Neumann
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 221:592-598
The influence of the GaAs cap layer thickness on the surface morphology and stoichiometry of InAs quantum dot (QD) layers grown on GaAs(0 0 1) was investigated by real-time reflectance anisotropy spectroscopy (RAS) and ellipsometry. A redistribution
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5480e60486d763391918c4af5775f164
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(00)00784-3
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(00)00784-3
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 195:530-539
The overgrowth of InAs islands by a GaAs cap layer has been investigated by optical in situ measurements at various growth conditions. A better smoothing of the surface has been found for low growth rates. This effect is attributed to a larger diffus
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0947a53592f7c1cc729022a06fef1c48
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(98)00650-2
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(98)00650-2
Autor:
Jörg-Th. Zettler, T. Wehnert, Markus Pristovsek, Jutta Platen, Housni Menhal, Carsten Setzer, Karl Jacobi, T. Schmidtling, Wolfgang Richter, Norbert Esser
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 195:1-5
We investigated GaAs (1 1 3) surfaces prepared by molecular beam epitaxy (MBE) and metal-organic vapour phase epitaxy (MOVPE) with reflectance anisotropy spectroscopy (RAS) and low energy electron diffraction (LEED) and found two different static (no
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c11c6b2da3a553346ee3c05dee9ff4ef
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(98)00695-2
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(98)00695-2
Autor:
M Hollenbach, K Schleife, U Franke, A Schlitt, Bernd Schmidt, T Wehnert, S Köhler, F Noack, I Bork, B Wollschläger
Publikováno v:
Pneumologie. 66
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2eb2a7cac55ab14bd9f2dd91bee02930
https://doi.org/10.1055/s-0032-1302693
https://doi.org/10.1055/s-0032-1302693
Autor:
M. Scheffler, W. Richter, W. Neumann, Q. K. K. Liu, T. Wehnert, E. Steimetz, H. Kirmse, J.-T. Zettler, L. G. Wang, P. Kratzer
Publikováno v:
Springer Proceedings in Physics ISBN: 9783642639937
Springer Proceedings in Physics
Springer Proceedings in Physics
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b68088c32d042d9143f13456537cd799
https://doi.org/10.1007/978-3-642-59484-7_179
https://doi.org/10.1007/978-3-642-59484-7_179
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.