Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"T. Wallinger"'
Publikováno v:
2007 International Semiconductor Device Research Symposium.
We demonstrated a significant charge loss by a small DC bias applied to the SONOS gate. This charge loss can be correlated with that of a high-temperature bake. A bias acceleration test can be useful for wafer-level retention screening. The results a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3e1f98c1322a157f74a149466a4c1b31
https://doi.org/10.1109/isdrs.2007.4422539
https://doi.org/10.1109/isdrs.2007.4422539
Periodical
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.