Zobrazeno 1 - 10
of 12
pro vyhledávání: '"T. Vanypre"'
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 82:254-260
Besides cost reduction and yield optimisation, advanced interconnect development is nowadays driven by continuous resistance and capacitance improvement in order to reduce RC-delay with shrinking line dimensions. In order to attain these aggressive g
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6b4fc14507baa11955f651d8d9a00edd
https://doi.org/10.1016/j.mee.2005.07.031
https://doi.org/10.1016/j.mee.2005.07.031
Autor:
P. Brun, G. Imbert, Nicolas Jourdan, Vincent Jousseaume, Y. Le-Friec, K. Hamioud, A. Zenasni, M. Mellier, Vincent Delaye, L.L. Chapelon, Laurent Favennec, M. Vilmay, Didier Louis, H. Chaabouni, T. Vanypre, Joaquim Torres, P. Maury, F. Volpi, Alexis Farcy, Gérard Passemard, M. Aimadeddine, V. Amal, S. Jullian, M. Assous
Publikováno v:
Proceedings of the IEEE 2007 International Interconnect Technology Conference
Proceedings of the IEEE 2007 International Interconnect Technology Conference, 2007, pp.175-177
Proceedings of the IEEE 2007 International Interconnect Technology Conference, 2007, pp.175-177
An Ultra Low-K (ULK) SiOCH porous dielectric with k=2.3 targeted for the 32 nm node is integrated at local and intermediate levels with the Trench First Hard Mask architecture currently implemented for the 65/45 nm nodes. Physical and electrical char
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::cc2ec5a06d1f8a235ccf11b6f650cd34
https://doi.org/10.1109/iitc.2007.382382
https://doi.org/10.1109/iitc.2007.382382
Autor:
Alexis Farcy, J. Guillan, Laurent Favennec, K. Hamioud, Aziz Zenasni, T. Vanypre, Laurent-Georges Gosset, C. Guedj, Joaquim Torres, Thibaut David, M. Aimadeddine, Vincent Arnal, Nicolas Jourdan, M. Assous, Sylvain Maitrejean, Vincent Jousseaume, P. Chausse, L.L. Chapelon, Thierry Mourier
Publikováno v:
2007 IEEE International Interconnect Technology Conferencee.
Integrated circuits are more and more impacted by interconnect performance. As size reaches nanometric dimensions, changes in materials aim at performing a reliable and compliant technology with a maximum capability to reduce delay time and power con
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1b7cbe6bef633d03c6d1994b1b668809
https://doi.org/10.1109/iitc.2007.382330
https://doi.org/10.1109/iitc.2007.382330
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.