Zobrazeno 1 - 10
of 476
pro vyhledávání: '"T. Tsukihara"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
T. Tsukihara, Kennichi Tachibori, A. Nakagawa, Fumihiro Nishiura, A. Higashiura, Masahiko Yamamoto, Ryoichi Nakatani, Yu Shiratsuchi
Publikováno v:
Journal of the Magnetics Society of Japan. 33:473-476
We have investigated the effective synthesis of Pyrococcus furious virus like particle (PfV) and the integration of Ni2+ ions with PfV. Application of Isopropyl-β-D-1-thiogalactopyranoside (IPTG) during incubation of P. furious causes the marked imp
Autor:
Kunihiko Watanabe, Yoshiyuki Tsujimoto, A. Watanabe, Yuzuru Suzuki, Hiroshi Matsui, K. Tsuji, K. Nakano, T. Tsukihara
Publikováno v:
Applied Microbiology and Biotechnology. 62:180-185
The gene ( inuA) encoding exo-inulinase (EC 3.2.1.80) was cloned from the thermophilic Geobacillus stearothermophilus ( Bacillus stearothermophilus) KP 1289 growing at between 41 degrees C and 69 degrees C. The inuA gene consisted of 1,482 bp encodin
Autor:
Sung-Hou Kim, William A. Eaton, José L. Carrascosa, M. Tuna, Michal Neeman, M. G. Ullmann, A. Di Nola, Dominique Pantaloni, K. Shinzawa-Itoh, H. Kabata, J. H. Lees, G. Venturoli, P. Manikandan, Huub C. P. Driessen, Philippe J. Sansonetti, Kurt Drickamer, C. Peters Libeu, Daniela Pietrobon, Thomas Loisel, E. Pebav-Peyroula, A. Ostermann, J. C. Williams, Louise N. Johnson, David Holowka, Dinakar M. Salunke, M. Montai, G. Spooner, Masao Washizu, R. J. Cogdell, T. Tsukihara, F. Parak, P. J. Munson, Jean-Michel Claverie, I. Qromov, Victor Muñoz, D. Goldfarb, Bruce Cornell, John R. Helliwell, Barry Robson, S. M. Prince, P. Nollert, Anne Imberty, Takashi Kinebuchi, Anna Chiesa, Paulo Magalhaes, Ian J. Tickle, Abani K. Bhuyan, Nobuo Niimura, Ratna S. Phadke, T. Tomizaki, G. U. Nienhaus, V. I. Ivanov, Gouri S. Jas, J. Raul Grigera, Coumaran Egile, N. B. Ulyanov, Lisa J. Lapidus, Kazuhiko Kinosita, Tullio Pozzan, A. D. Beniaminov, S. A. Bondarenko, V. Di Francesco, H. J. C. Berendsen, Osamu Kurosawa, Ian C.P. Smith, Eric R. Henry, Patrick R. D'Silva, E. W. Knapp, Charles R. Cantor, Barbara Baird, Heinz Rüterians, A. Surolia, Ian A. Wilson, M. J. Pandya, Derek N. Woolfson, Dale B. Wigley, Wilma K. Olson, E. Yamashita, Clare Sansom, E. M. Zdobnov, E. Westhof, E. E. Minyat, R. Carmieli, Marisa Brini, J. P. Rosenbusch, Jeremy K. Cockcroft, B. L. de Groot, Sunney I. Chan, Anil K. Lala, M. D. Finucane, Marie-France Carlier, A. Royant, H. Belrhali, James Hofrichter, Manju Bansal, Nobuo Shimamoto, Chih-chen Wang, Rosario Rizzuto, Paolo Pinton, Fariza Ressacl, K. McAuley, B. Bhattacharyya, E. M. Landau, M. J. Fei, C. Shutter, Keiichi Namba, I. Pecht, Wolfgang Junge, M. Paci, J. Garnier, Patrick Chaussepied, R. Nakashima, P. T. Callaghan, Ramen K. Poddar, X. Lin, P. Mathis, Jean Garnier, Valerie Laurent, N. W. Isaacs, Ronald S. Rock, F. Drepper, David S. Moss, Javant Udgaonkar, I. G. Wool, N. Inoue, A. Amadei, T. Shane, Shu-Rong Wang, M. A. Ceruso, K. V. R. Chary, C. C. Correll, K. McLuskey, J. P. Allen, S. Yoshikawa, R. van Grondelle, Stephen J. Hagen
Publikováno v:
Journal of Biosciences. 24:5-31
Autor:
T. Yamabe, Kazuyuki Takahashi, Mitsuo Ishikawa, T. Tsukihara, Joji Ohshita, Y. Kurosaki, Yoshiyuki Kiso, A. Tachibana, Hiroshi. Ohsaki
Publikováno v:
ChemInform. 22
Publikováno v:
ChemInform. 23
Autor:
J. Shioya, T. Yamanaka, Mitsuo Ishikawa, T. Tsukihara, Tomoyuki Horio, A. Miyai, T. Ishida, Yutaka Hasegawa, Atsutaka Kunai, Takanori Hatano, Tohru Koike
Publikováno v:
ChemInform. 23
Publikováno v:
ChemInform. 24
Autor:
K. Deguchi, S. Onoue, Koji Yonemura, Kiminori Watanabe, M. Sakai, Koji Kimura, T. Kikuchi, H. Kitahara, Koji Shirai, Jun Morioka, T. Tsukihara
Publikováno v:
2009 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.
This paper presents a 0.13um BiCD process (BiCD-0.13) based on a 0.13um standard CMOS technology with a superior Deep Trench Isolation(DTI). Merits of using DTI are to improve breakdown voltage, reduce parasitic transistor actions and increase area d