Zobrazeno 1 - 10
of 32
pro vyhledávání: '"T. Tellier"'
Autor:
B. D. Beck, S. L. Meyer, E. Simonsen, U. Søgaard, I. Petersen, S. M. H. Arnfred, T. Tellier, T. Moe
Publikováno v:
European Journal of Psychotraumatology, Vol 12, Iss 1 (2021)
Background: Many people with refugee backgrounds suffer from trauma-related complex social and psychological problems, and compliance with standard psychological treatment tends to be low. More culturally adaptable treatment options seem to be needed
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e536d4490d1f433893f5373a4715148c
Publikováno v:
Journal of Food Protection, Vol 87, Iss 7, Pp 100293- (2024)
Foodborne outbreak investigations often provide data for public health officials to determine how the environment contributed to the outbreak and on how to prevent future outbreaks. State and local health departments are responsible for investigating
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0650412036ff4e69914a725c199381f1
Autor:
Kane Patel, G. Sean Stapleton, Rosalie T. Trevejo, Waimon T. Tellier, Jeffrey Higa, Jennifer K. Adams, Sonia M. Hernandez, Susan Sanchez, Nicole M. Nemeth, Emilio E. Debess, Krysta H. Rogers, Aslı Mete, Katherine D. Watson, Leslie Foss, Mabel S.F. Low, Lauren Gollarza, Megin Nichols
Publikováno v:
Emerging Infectious Diseases, Vol 29, Iss 11, Pp 2298-2306 (2023)
Salmonella infection causes epidemic death in wild songbirds, with potential to spread to humans. In February 2021, public health officials in Oregon and Washington, USA, isolated a strain of Salmonella enterica serovar Typhimurium from humans and a
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/69db38c4cd594d80b212119bead6d0e0
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
1997 IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures Proceedings.
We have designed and evaluated an electrical test structure capable of detecting sub-micron shifts in the alignment of the Low-Doped Drain (LDD) region relative to the gate of a lateral power MOSFET. The test structure consists of four identical high
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8aad78739c0e691c8ef6ec2e7c231f7f
https://doi.org/10.1109/icmts.1997.589321
https://doi.org/10.1109/icmts.1997.589321
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.