Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"T. Shiragasawa"'
Autor:
H. Kotani, Michihiro Inoue, J. Matsushima, T. Shiragasawa, T. Yamada, Hironori Akamatsu, S. Okada
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 25:30-35
An 8-Mb (1-Mwords*8-b) dynamic RAM which utilizes a column direction drive sense amplifier to obtain low peak current is described. The power supply peak current is about one fourth of that for conventional circuits. The chip operates at 50-MHz and i
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 30:1305-1313
Scaling down of transistor cell sizes causes some instabilities in CMOS devices under high temperature or high humidity bias stress, especially in plastic encapsulated devices. On CMOS test transistors with various kinds of the passivation layer, acc
Publikováno v:
1980 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers.
Publikováno v:
22nd International Reliability Physics Symposium.
In order to quantitatively evaluate latch-up sensitivity on scaled CMOS LSIs, an advanced latch-up analyzer with a laser scanner has been developed. As a result of the application of the analyzer to a 64K bit full CMOS static RAM, the analyzer was fo
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.