Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"T. Saad Saoud"'
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, Elsevier, 2018, 903, pp.77-84. ⟨10.1016/j.nima.2018.06.038⟩
Nucl.Instrum.Meth.A
Nucl.Instrum.Meth.A, 2018, 903, pp.77-84. ⟨10.1016/j.nima.2018.06.038⟩
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, Elsevier, 2018, 903, pp.77-84. ⟨10.1016/j.nima.2018.06.038⟩
Nucl.Instrum.Meth.A
Nucl.Instrum.Meth.A, 2018, 903, pp.77-84. ⟨10.1016/j.nima.2018.06.038⟩
International audience; In this work, a portable cosmic-ray telescope was designed, assembled and operated to measure the cosmic-ray induced atmospheric muon flux at ground level. The instrument was entirely characterized and modeled from the point-o
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d98bf2a79be7445427b45343332e037b
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01846825/file/NIMA18_Autran_HAL.pdf
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01846825/file/NIMA18_Autran_HAL.pdf
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology
Semiconductor Science and Technology, IOP Publishing, 2016, 31 (11), ⟨10.1088/0268-1242/31/11/114003⟩
Semiconductor Science and Technology, 2016, 31 (11), ⟨10.1088/0268-1242/31/11/114003⟩
Semiconductor Science and Technology, IOP Publishing, 2016, 31 (11), ⟨10.1088/0268-1242/31/11/114003⟩
Semiconductor Science and Technology, 2016, 31 (11), ⟨10.1088/0268-1242/31/11/114003⟩
International audience; This paper reports five years of real-time soft error rate experimentation conducted with the same setup at mountain altitude for three years and then at sea level for two years. More than 7 Gbit of SRAM memories manufactured
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::9f3388fa2d44670f7f75e30fcfac05dc
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01430070
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01430070
Publikováno v:
Microelectronics Reliability
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2016, 64, pp.68-72. ⟨10.1016/j.microrel.2016.07.138⟩
Microelectronics Reliability, 2016, 64, pp.68-72. ⟨10.1016/j.microrel.2016.07.138⟩
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2016, 64, pp.68-72. ⟨10.1016/j.microrel.2016.07.138⟩
Microelectronics Reliability, 2016, 64, pp.68-72. ⟨10.1016/j.microrel.2016.07.138⟩
International audience; In Charged Coupled Devices (CCDs), radiation-induced events generate electron hole pairs in silicon that cause artifacts and contribute to degrade image quality. In this work, the impact of natural radiation at ground level ha
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::2fa8e975fb4bf848e84a5020b5818001
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01427855/document
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01427855/document
Autor:
Gilles Gasiot, T. Saad Saoud, S. Moindjie, Daniela Munteanu, S. Sauze, Jean-Luc Autran, Philippe Roche
Publikováno v:
ESREF Conference
ESREF Conference, Oct 2015, Toulouse, France
Microelectronics Reliability
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2015, 55 (9-10), pp.1506-1511. ⟨10.1016/j.microrel.2015.06.101⟩
Microelectronics Reliability, 2015, 55 (9-10), pp.1506-1511. ⟨10.1016/j.microrel.2015.06.101⟩
ESREF Conference, Oct 2015, Toulouse, France
Microelectronics Reliability
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2015, 55 (9-10), pp.1506-1511. ⟨10.1016/j.microrel.2015.06.101⟩
Microelectronics Reliability, 2015, 55 (9-10), pp.1506-1511. ⟨10.1016/j.microrel.2015.06.101⟩
26th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, Toulouse, FRANCE, OCT 05-19, 2015; International audience; This paper surveys ten years of experimentation conducted on the Altitude SEE (Single Event Effects)
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::eda716bc4c364d7df59272d2be0a136b
https://hal-amu.archives-ouvertes.fr/hal-02101357
https://hal-amu.archives-ouvertes.fr/hal-02101357
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Semiconductor Science & Technology; Nov2016, Vol. 31 Issue 11, p1-1, 1p
