Zobrazeno 1 - 10
of 16
pro vyhledávání: '"T. Rhoad"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kyle T. Rhoad, Megan Lee Endres
Publikováno v:
Team Performance Management. 22:269-283
Purpose Knowledge sharing is an important individual behavior that benefits teams and organizations. However, little is known about environments with both team and individual rewards. The purpose of this study is to investigate high-ability team memb
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5948f22be4a48e4073030f908ebb1080
https://doi.org/10.1108/tpm-05-2016-0022
https://doi.org/10.1108/tpm-05-2016-0022
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 85:1701-1703
A parameterized, Kramers–Kronig consistent, Cody–Lorentz optical model is used to simulate the dielectric response of thin HfxSiyOz films. Optical constants are determined in the range 0.75–8.35eV. The Cody–Lorentz model has three specific di
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a0ed1d63b0008fbdd37645b48f806a82
https://doi.org/10.1063/1.1784889
https://doi.org/10.1063/1.1784889
Autor:
Mark Gardner, Howard R. Huff, H.-J. Li, Chadwin D. Young, Alain C. Diebold, J. Saulters, J. Price, Jeffrey J. Peterson, T. Rhoad, Peter Zeitzoff, P. Y. Hung, Gennadi Bersuker, T. Pompl, George A. Brown
Publikováno v:
Conference Digest [Late News Papers volume included]Device Research Conference, 2004. 62nd DRC..
A fabrication process for HfON, using ion implantation of N/sub 2/ in ALD HfO/sub 2/, was demonstrated. Results showed that a good quality HfON could be formed by N/sub 2/ implantation, which suggests nitrogen implantation can be an alternative high-
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::416dd43755a733f86d4caf502c928bb6
https://doi.org/10.1109/drc.2004.1367760
https://doi.org/10.1109/drc.2004.1367760
Autor:
W. Lukaszek, M.I. Current, J. Shields, M.C. Vella, S. Daryanani, D. Wagner, L. Larson, T. Rhoad
Publikováno v:
2003 8th International Symposium Plasma- and Process-Induced Damage..
Charging characteristics of As/sup +/, BF/sub 2//sup +/, and B/sup +/ high-current ion implants, performed at different energies and different plasma flood system settings, were measured using bare and resist-covered CHARM/spl reg/-2 wafers patterned
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::795282022d289b1e8db2b5bb469681c1
https://doi.org/10.1109/ppid.2003.1200952
https://doi.org/10.1109/ppid.2003.1200952
Publikováno v:
Ion Implantation Technology. 2002. Proceedings of the 14th International Conference on.
Precise control of the ion beam across the entire wafer must be maintained to ensure the incident beam is not aligned to a major crystallographic axis and that ions are not allowed to traverse great distances through the lattice structure with little
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::06be596ecd22b3140f1cb3c086e825c0
https://doi.org/10.1109/iit.2002.1258049
https://doi.org/10.1109/iit.2002.1258049
Publikováno v:
Ion Implantation Technology. 2002. Proceedings of the 14th International Conference on.
The process performance for ULVAC's IW-630 200/300 mm medium current ion implanter is reviewed. The IW-630 was designed to ensure high beam parallelism, high-energy purity, and low defect contamination through the use of a ground magnet. The analyses
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::df4cc7416fd2fbf89f7f89d332236446
https://doi.org/10.1109/iit.2002.1258048
https://doi.org/10.1109/iit.2002.1258048
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.