MBE growth and doping of AlGaP

Autor: A. Le Corre, Samy Almosni, Ronan Tremblay, J.-P. Burin, Tony Rohel, Nicolas Bertru, Olivier Durand, Yoan Léger, Antoine Létoublon, Charles Cornet, T. Quinci, J.-P. Gauthier

Publikováno v: Journal of Crystal Growth
Journal of Crystal Growth, 2017, 466, pp.6-15. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2017.02.011⟩
Journal of Crystal Growth, Elsevier, 2017, 466, pp.6-15. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2017.02.011⟩

International audience; In this work, we investigate the impact of growth parameters on surface morphology, doping levels and dopant activation in AlGaP epilayers grown on GaP substrate by solid source molecular beam epitaxy. Atomic Force Microscopy

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::25c8909033ad14589aa793d7bb248049
https://hal.science/hal-01529569

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.