Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"T. Qamushadze"'
Autor:
M. R. Metskhvarishvili, I. Kalandadze, T. Qamushadze, G.P. Kekelidze, E. Khutsishviliis, Z. Chubinishvili
Publikováno v:
European Journal of Engineering and Technology Research. 6:75-78
The electrical properties of n-type crystals of InAs compound, grown from stoichiometric melt by the horizontal zone melting method, have been investigated in the temperature range of 4.2 K-300 K before and after fast neutron irradiation up to high i
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::2b07404c2dc2a4758757e57b05c35fad
https://doi.org/10.24018/ejeng.2021.6.3.2401
https://doi.org/10.24018/ejeng.2021.6.3.2401
Autor:
N. Kekelidze, B. Kvirkvelia, E. Khutsishvili, T. Qamushadze, D. Kekelidze, R. Kobaidze, Z. Chubinishvili, N. Qobulashvili, G. Kekelidze
On the basis of InAs, InP and their InPxAs1-x solid solutions, the technologies were developed and materials were created where the electron concentration and optical and thermoelectric properties do not change under the irradiation with Ф = 2∙101
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c7fe10bd14764d22265d4d3c6006c5e5
Publikováno v:
European Chemical Bulletin. 8:188
The system of triple In 1– x Ga x As continuous solid solutions allows the solution of the many problems of modern semiconductor technology as microelectronics, optoelectronics, and nanoelectronics. The remarkable manufactural properties of ternary
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c18485803dce6e813df929577583e85d
https://doi.org/10.17628/ecb.2019.8.188-192
https://doi.org/10.17628/ecb.2019.8.188-192
Publikováno v:
European Chemical Bulletin. 8:85
The control of impurities at each stage of the purification process of Si is the primary topical problem in Si technology. The technique of determining the impurity composition should be multi-element and with low limit-detection of impurities. From
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9b70c81d33ddfd48f45e45f1229020e8
https://doi.org/10.17628/ecb.2019.8.85-87
https://doi.org/10.17628/ecb.2019.8.85-87
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.