Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"T. Nshanian"'
Publikováno v:
International Symposium for Testing and Failure Analysis.
The Dual Focused Ion Beam (DFIB has been used to expose electrical fields associated with the charge of electrically active extended defects (ED) – (e.g. threading dislocations - TDs) in GaN structures. The localized electrical fields above electri
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ed9721d5a9df3cf920c756a19bc92f90
https://doi.org/10.31399/asm.cp.istfa2018p0247
https://doi.org/10.31399/asm.cp.istfa2018p0247
Publikováno v:
Microelectronics Reliability. 52:2039-2042
The EBIC mode of SEM was used to image individual dislocations and measure the effect of local stress on EBIC contrast of threading dislocations (TDs) in GaN LEDs. In this method, EBIC shows that localized residual stress increases the recombination
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f8210e4ffa1af9862ecf8f0f328ad449
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2012.06.046
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2012.06.046
Publikováno v:
Engineering Failure Analysis. 3:109-113
A new non-destructive technique to measure strain over small areas of specimens in the scanning electron microscope (SEM) is described. By integrating new advances in secondary electron detection, imaging of insulating oxide layers and a methodology
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4da10a50711a33c3e049182041fed939
https://doi.org/10.1016/1350-6307(96)00001-5
https://doi.org/10.1016/1350-6307(96)00001-5
Autor:
T. Nshanian
Publikováno v:
Applied Physics A Solids and Surfaces. 59:349-355
Signals from a modified Scanning Electron Microscope (SEM) in Secondary-Electron (SE) and Voltage-Contrast (VC) regimes were used to visualize and quantitatively analyze the Ion-Implanted Layer (IIL) in semiconductors. Silicon was used as substrate m
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::aaa37bb58386f065dab0dfcbf6a19753
https://doi.org/10.1007/bf00331711
https://doi.org/10.1007/bf00331711
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Lei, Jie1, Zhang, Xiangmin1
Publikováno v:
Journal of Separation Science. Jun2013, Vol. 36 Issue 12, p1996-2002. 7p.
Publikováno v:
Applied Physics B: Lasers & Optics; Oct1994, Vol. 59 Issue 4, pA5-A5, 1p