Zobrazeno 1 - 10 of 104 pro vyhledávání: '"T. Nishizuka"'
1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
3
[Untitled]
Autor: T. Nishizuka, Yuzuru Sato, T. Takamizawa, Tsutomu Yamamura, Yoshio Waseda
Publikováno v: International Journal of Thermophysics. 23:235-243
Viscosities of molten GaSb and InSb as III–V compound semiconductors were measured using an oscillating viscometer to study the thermophysical properties of semiconductor melts. A specially designed quartz crucible was used to prevent the evaporati
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bfff564732598ec1a5950df770da908c
https://doi.org/10.1023/a:1013969430449
Zobrazit plný text záznamu
5
[Untitled]
Autor: Tsutomu Yamamura, Yoshio Waseda, T. Nishizuka, Yuzuru Sato, K. Hara
Publikováno v: International Journal of Thermophysics. 21:1463-1471
The density of molten silicon was measured using a newly developed pycnometer made of boron nitride. The present method has many advantages for measuring the density of molten silicon, which has a high temperature and can be easily oxidized. The pycn
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::60920963e9a4357e54e12325c782c3f4
https://doi.org/10.1023/a:1006661511770
Zobrazit plný text záznamu
6
Sub-100 nm InGaAs quantum-well (QW) tri-gate MOSFETs with Al2O3/HfO2 (EOT < 1 nm) for low-power logic applications
Autor: M. Takahashi, C. Y. Kang, Hill Richard J, Donghyi Koh, Rock-Hyun Baek, T. Nishizuka, David Gilmer, Craig Huffman, H. Nakajima, W. Maszara, A. Ko, Dmitry Veksler, Sanjay K. Banerjee, Tae-Woo Kim, S. H. Shin, H. Ohtake, Y. Ohsawa, Hm. Kwon, Andrew M. Greene, Ken Matthews, Chris Hobbs, D.-H Ko, Dae-Hyun Kim, Serge Oktyabrsky, Paul Kirsch
Publikováno v: 2013 IEEE International Electron Devices Meeting.
This paper reports tri-gate sub-100 nm In0.53Ga0.47As QW MOSFETs with electrostatic immunity of S = 77 mV/dec., DIBL = 10 mV/V, together with excellent carrier transport of gm, max > 1.5 mS/μm, at VDS = 0.5 V. This result is the best balance of gm,
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::efecaa33c11064b65c72fa6f633344dd
https://doi.org/10.1109/iedm.2013.6724641
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
10
Selective deoxygenation and O-methylation of benanomicin A: synthesis of 9-deoxy-, 9-O-methyl- and 14-O-methylbenanomicin A
Autor: T, Nishizuka, S, Hirosawa, M, Hamada, S, Kondo, D, Ikeda, T, Takeuchi
Publikováno v: The Journal of antibiotics. 50(9)
The selective modifications of phenolic hydroxy groups in the chromophore of benanomicin A are described. Hydride reduction of 9-O-tosylate with sodium borohydride/nickel chloride led to 9-deoxybenanomicin A. Methylation of 1-O-diphenylmethylbenanomi
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=pmid________::1b35cda355e4e4fa8d52a4c13807fb4a
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/9360622
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje