Zobrazeno 1 - 10
of 54
pro vyhledávání: '"T. Neyer"'
Publikováno v:
Electron Microscopy and Analysis 1997 ISBN: 9781003063056
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5102121bb985a947a9d6dabd23fceec0
https://doi.org/10.1201/9781003063056-88
https://doi.org/10.1201/9781003063056-88
Publikováno v:
Microelectronics Reliability. 62:74-78
Over the past years there have been growing concerns on the adverse effects of atmospheric neutrons on power semiconductors even at sea level. In this paper we report recent results of neutron irradiation (1.9 MeV) experiments conducted on 650 V Supe
Publikováno v:
Journal of Statistical Planning and Inference. 149:20-25
Publikováno v:
Journal of Microscopy. 187:184-192
This work uses electron energy loss spectroscopy (EELS) to study the excitation of interface and bulk plasmons in artificial, nonmagnetic metallic multilayers. We obtain EELS spectra for W/Si and Ta/Si multilayers with layer periodicity d using an of
Publikováno v:
Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. 76:683-688
In layered structures, theory predicts a quasi-continuum of interface plasmon modes. In W /Si multilayers, the plasma frequencies of the constituents are 25 eV and 17 eV, and the energies of the interface modes are ideally suited for detection with e
Autor:
Barry T. Neyer
Publikováno v:
Technometrics. 36:61-70
Sensitivity tests are often used to estimate the parameters associated with latent continuous variables that cannot be measured. For example, each explosive specimen has a threshold. The specimen will detonate if and only if an applied shock exceeds
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2004 IEEE/SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference and Workshop (IEEE Cat. No.04CH37530).
In this paper we describe a technique called the defect reticle method and illustrate its application to semiconductor manufacture. This technique sheds light on many unknown and so far inaccessible relationships between defect types and yield loss.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.