Zobrazeno 1 - 10
of 754
pro vyhledávání: '"T. Mikolajick"'
Publikováno v:
Micro and Nano Engineering, Vol 19, Iss , Pp 100179- (2023)
In recent years, more and more research was conducted to explore smaller and smaller systems that become similar to an actual micro/nano-robot. The major roadblock regarding their real world implementation is the highly restricted available volume. I
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/95d85ca782e74957af4bf8dd9a952b3c
Autor:
R. Fontanini, J. Barbot, M. Segatto, S. Lancaster, Q. Duong, F. Driussi, L. Grenouillet, L. Triozon, J. Coignus, T. Mikolajick, S. Slesazeck, D. Esseni
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 10, Pp 593-599 (2022)
We here report a joint experimental and theoretical analysis of polarization switching in ferroelectric tunnel junctions. Our results show that the injection and trapping of charge into the ferroelectric-dielectric stack has a large influence on the
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d0063b8661b54a7982b5e5c5efb362a3
Autor:
R. Alcala, M. Materano, P. D. Lomenzo, L. Grenouillet, T. Francois, J. Coignus, N. Vaxelaire, C. Carabasse, S. Chevalliez, F. Andrieu, T. Mikolajick, U. Schroeder
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 10, Pp 907-912 (2022)
Si doped HfO2 based ferroelectric capacitors integrated into Back-End-Of-Line (BEOL) 130 nm CMOS technology were investigated in regard to critical reliability parameters for their implementation in non-volatile one-transistor one-capacitor ferroelec
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b30337593a644526807ec901895369a8
Publikováno v:
AIP Advances, Vol 9, Iss 12, Pp 125018-125018-4 (2019)
In this computational study, the influence of GaN/AlxGa1−xN layer stack parameters, such as surface potential, aluminum mole fraction, and background donor concentration, on the two-dimensional electron gas (2DEG) density in a heterostructure is ve
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/035d4596d27c45788e2ba687194efef5
Autor:
T. Francois, J. Coignus, A. Makosiej, B. Giraud, C. Carabasse, J. Barbot, S. Martin, N. Castellani, T. Magis, H. Grampeix, S. Van Duijn, C. Mounet, P. Chiquet, U. Schroeder, S. Slesazeck, T. Mikolajick, E. Nowak, M. Bocquet, N. Barrett, F. Andrieu, L. Grenouillet
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 69:2108-2114
Autor:
M. Massarotto, M. Segatto, F. Driussi, A. Affanni, S. Lancaster, S. Slesazeck, T. Mikolajick, D. Esseni
Publikováno v:
2023 35th International Conference on Microelectronic Test Structure (ICMTS).
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
R. Alcala, P.D. Lomenzo, T. Mittmann, B. Xu, R. Guido, S. Lancaster, P. Vishnumurthy, L. Grenouillet, S. Martin, J. Coignus, T. Mikolajick, U. Schroeder
Publikováno v:
2022 International Electron Devices Meeting (IEDM).
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.