Zobrazeno 1 - 10
of 51
pro vyhledávání: '"T. Meisch"'
Autor:
SK. S. Rahman, R. A. R. Leute, J. Wang, T. Meisch, M. Klein, F. Scholz, K. Koyama, M. Ishii, H. Takeda
Publikováno v:
AIP Advances, Vol 4, Iss 7, Pp 077119-077119-8 (2014)
We demonstrate the strong influence of GaN substrate surface morphology on optical properties and performance of light emitting devices grown on freestanding GaN. As-grown freestanding HVPE GaN substrates show excellent AFM RMS and XRD FWHM values ov
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/367f8d8f030c492a8277dbb6235849fb
Autor:
T. Schupp, T. Meisch, B. Neuschl, M. Feneberg, K. Thonke, K. Lischka, D. J. As, Gabriel Ferro, Paul Siffert
Publikováno v:
AIP Conference Proceedings.
Zinc‐blende GaN quantum dots were grown on 3C‐AlN(001) by two different methods in a molecular beam epitaxy system. The quantum dots in method A were fabricated by the Stranski‐Krastanov growth process. The quantum dots in method B were fabrica
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ce06917bb316725d5f5abceb4efd49ce
https://doi.org/10.1063/1.3518287
https://doi.org/10.1063/1.3518287
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.