Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"T. Masuki"'
Autor:
Tsuneo Takeuchi, T. Kunio, Yoichi Miyasaka, T. Otsuki, Takashi Hase, Yukihiko Maejima, K. Amantuma, M. Fukuma, N. Tanabe, Tohru Kimura, M. Takada, S. Kobayashi, Yoshihiro Hayashi, N. Shohata, T. Masuki, S. Saito, Hiroki Koike
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 31:1625-1634
This paper proposes three circuit technologies for achieving mega-bit-class nonvolatile ferroelectric RAMs (NVFRAMs). The proposed nondriven cell plate line write/read scheme (NDP scheme) accomplishes fast write/read operation equivalent to that of D
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6a57f2a772685bfbd6ef25cd1a9bc856
https://doi.org/10.1109/jssc.1996.542307
https://doi.org/10.1109/jssc.1996.542307
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.