Zobrazeno 1 - 10
of 53
pro vyhledávání: '"T. Kurafuji"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Takeshi Kumaki, M. Nakajima, Masaru Haraguchi, Masakatsu Ishizaki, T. Nishijima, E. Shimomura, Tetsushi Koide, Kazutami Arimoto, Shunsuke Kamijo, K. Murata, Yuta Imai, Y. Okuno, Takeaki Sugimura, Hans Jurgen Mattausch, Tetsushi Tanizaki, Hiroyuki Yamasaki, Hideyuki Noda, K. Yoshida, T. Kurafuji
Publikováno v:
ISSCC
This paper describes a high performance scalable massively parallel single-instruction multiple-data (SIMD) processor and power/area efficient real-time image processing. The SIMD processor combines 4-bit processing elements (PEs) with SRAM on a smal
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Akimasa Yamada, Hachiro Nakanishi, K. Murakami, Paul Fons, S. Niki, T. Mizutani, Shigefusa F. Chichibu, T. Shioda, T. Kurafuji
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 83:3678-3689
Band gap and excitonic resonance energies of high-quality bulk single crystals, polycrystalline thin films, and epitaxial layers of CuInSe2 and CuGaSe2 were determined as a function of temperature by means of photoreflectance, optical absorption (OA)
Autor:
Hajime Shibata, Hachiro Nakanishi, Akimasa Yamada, Shigefusa F. Chichibu, Shigeru Niki, Hiroyuki Oyanagi, I. Kim, T. Kurafuji, Paul Fons
Publikováno v:
Solar Energy Materials and Solar Cells. 49:319-326
CuInSe2 (CIS) thin films with a range of CuIn ratios were grown by molecular beam epitaxy on GaAs (0 0 1) at substrate temperatures of Ts = 450–500°C and the effects of annealing under various atmospheres have been investigated. Photoluminescence
Autor:
Yoshitaka Okada, Hajime Shibata, Akimasa Yamada, Hiroyuki Oyanagi, S. Niki, Charles W. Tu, Wengang Bi, Paul Fons, T. Kurafuji
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. :1051-1056
CuInSe 2 films have been grown on both GaAs(0 0 1) and In 0.29 Ga 0.71 As pseudo -lattice-matched substrates by solid-source molecular beam epitaxy and the effects of strain on the properties of epitaxial films have been investigated. For CuInSe 2 ep
Autor:
Yoshitaka Okada, R. Shioda, Yunosuke Makita, Hiroyuki Oyanagi, Akimasa Yamada, Shigeru Niki, O. Hellman, Shigefusa F. Chichibu, Hisayuki Nakanishi, Paul Fons, Akira Obara, T. Kurafuji
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 150:1201-1205
CuInSe 2 (CIS) films with Cu/In ratios of γ = 0.81–1.81 have been grown on (001)-oriented GaAs substrates by molecular beam epitaxy at substrate temperatures of T s = 350–550° C . Film properties were found to be substantially different for Cu-
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.