Zobrazeno 1 - 10
of 237
pro vyhledávání: '"T. Kunii"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Journal of Quantum Electronics. 32:1965-1975
Tuning characteristics of multicontact passively mode-locked distributed Bragg reflector (DBR) semiconductor lasers are investigated in terms of center wavelengths and pulse repetition frequencies. It is shown that the center wavelength of the pulses
Publikováno v:
Review of Scientific Instruments. 74:881-883
Resonant photothermal bending spectroscopy (RPBS) at various measurement temperatures has been developed for estimating absorption coefficient (α) spectra of thin film semiconductors. The experimentally obtained sensitivity of RPBS was about ten tim
Publikováno v:
Optical and Quantum Electronics. 24:719-735
Developments of narrow-linewidth distributed-Bragg-reflection (DBR) and distributed-feed-back (DFB) lasers are described. The design of a narrow-linewidth DBR laser is described in detail. Kl optimization from the viewpoint of narrow-linewidth operat
Publikováno v:
IEEE Journal of Quantum Electronics. 27:1773-1781
High performances for 1.5 mu m butt-jointed distributed Bragg reflector (DBR) laser are demonstrated. High output power (>20 mW) and narrow spectral linewidth (600 kHz) were obtained. By controlling the device parameters, the linewidth was reduced, a
Autor:
T. Kunii, Tomoki Oku, T. Ishikawa, Akira Inoue, S. Goto, J.A. del Alamo, H. Amasuga, M.R. Wong
Publikováno v:
2006 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest.
A millimeter wave high power PHEMT model with a nonlinear drain resistance Rd is proposed. The non-linear Rd arises from electron velocity saturation in the gate-drain gap. At 2.1 GHz, the nonlinear Rd behaves like a conventional linear resistor. How
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
1985 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers.
A CCD imager with a 5.86mm(V) × 7.13mm(H) chip and an imaging area of 4.32mm(V) × 5.73mm(H) will be reported. The S/N ratio is 55dB under scene illumination level of 200 1x, which is 50% of the saturation illumination.