Zobrazeno 1 - 10
of 22
pro vyhledávání: '"T. Huttner"'
Autor:
Tibor Grasser, Christian Schlunder, Hans Reisinger, Stefano Aresu, Andreas Martin, P.-J. Wagner, T. Huttner, Wolfgang Gustin, R.-P. Vollertsen
Publikováno v:
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability. 9:106-114
Negative bias temperature instability (NBTI) degradation and recovery have been investigated for 7-50-nm non-nitrided oxides and compared to thin 1.8- and 2.2-nm nitrided oxides from a dual work function technology. A wide regime of stress fields fro
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a6a4d59a75b76ea58e52f1bc78149c9c
https://doi.org/10.1109/tdmr.2009.2021389
https://doi.org/10.1109/tdmr.2009.2021389
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 46:1562-1566
A partially depleted silicon-on-insulator (PDSOI) CMOS technology employing pocket implantation and a self-aligned titanium silicidation with an effective gate length of 0.13 /spl mu/m has been developed. An advanced mesa isolation process is used to
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4167bcd5a57f13ca309f2c65b7119619
https://doi.org/10.1109/16.772511
https://doi.org/10.1109/16.772511
Autor:
Andreas Martin, Hans Reisinger, P.-J. Wagner, Christian Schlunder, R.-P. Vollertsen, Wolfgang Gustin, Stefano Aresu, T. Huttner, Tibor Grasser
Publikováno v:
2008 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report.
NBTI degradation and recovery have been investigated for 7 to 50nm oxides and compared to a thin 2.2nm nitrided oxide. A wide regime of stress fields 2.5MV/cm to 8MV/cm has been covered. NBTI effect for the nitrided oxide is larger than for non-nitri
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::be904651e5a00a852aa841c30de894e2
https://doi.org/10.1109/irws.2008.4796074
https://doi.org/10.1109/irws.2008.4796074
Autor:
B. Hasler, T. Huttner, Markus Schwerd, H. Heineder, Andrea Mitchell, M. Seck, S. Drexl, M. Schrenk, Rudolf Lachner, T. Bottner, V. Kubrak, Heinrich Körner
Publikováno v:
2003 Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems, 2003. Digest of Papers..
Intensive world wide development work in high-speed bipolar RF technologies leads to a rapid increase in transistor performance. This paper describes a manufacturable leading-edge 0.35 /spl mu/m bipolar SiGe:C technology offering balanced transistor
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::597e7119adc3d9072d6d20a7796dbaaa
https://doi.org/10.1109/smic.2003.1196656
https://doi.org/10.1109/smic.2003.1196656
Publikováno v:
1997 IEEE International SOI Conference Proceedings.
The damaging of the buried oxide in n-channel SOI-MOSFETs during hot carrier stress has been described by several authors, Observed damaging mechanisms are hole trapping and interface state generation. Almost all investigations were made with devices
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::dfed44601d4d297ac9448733278cfb55
https://doi.org/10.1109/soi.1997.634935
https://doi.org/10.1109/soi.1997.634935
Publikováno v:
31st European Solid-State Device Research Conference.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::086f65d2d56422e9802d45adf0c4c753
https://doi.org/10.1109/essderc.2001.195297
https://doi.org/10.1109/essderc.2001.195297
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Revue de stomatologie et de chirurgie maxillo-faciale. 70(4)
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=pmid________::82b0139b09592017eee238ffd1a7ed24
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/4891767
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/4891767
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.