Zobrazeno 1 - 10
of 246
pro vyhledávání: '"T. Hoshii"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Japanese Journal of Applied Physics. 61
Photodetectors based on an AlGaN/GaN high electron mobility transistor on Si have a long decay time after removal of light irradiation because of the large number of defects. This behavior is unsuitable for applications that require fast response. In
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::8112b8430aa5cdb9a3e2c3d6cc8a7b02
http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100880933
http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100880933
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
M. Nishizawa, T. Hoshii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, Y. Daigo, I. Mizushima, T. Yoda, K. Kakushima
Publikováno v:
Japanese Journal of Applied Physics. 61:SH1011
A method for using device simulation to extract the hole lifetime (τ p) of a thin n-type SiC epitaxial layer on the basis of the characteristics of parallel diodes is proposed. The voltage drop (ΔV) across a forward-biased pn diode (single-setup) a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::aec5df3a0143a354241506036f167625
https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac6215
https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac6215
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
M. Fukui, T. Saraya, K. Itou, T. Takakura, S. Suzuki, K. Takeuchi, K. Kakushima, T. Hoshii, K. Tsutsui, H. Iwai, S. Nishizawa, I. Omura, T. Hiramoto
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::06d5c22705d63ae508043c93988260bc
https://doi.org/10.7567/ssdm.2019.ps-4-01
https://doi.org/10.7567/ssdm.2019.ps-4-01