Zobrazeno 1 - 10
of 39
pro vyhledávání: '"T. Hennen"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Faraday Discussions. 213:183-196
The I-V switching curves of bipolar switching non-volatile ReRAM devices show peculiar characteristics, such as an abrupt ON switching and the existence of a universal switching voltage. This switching behavior has been explained by the presence of a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::1f881015f7d644d4673bedc89bcebd55
https://doi.org/10.1039/c8fd00116b
https://doi.org/10.1039/c8fd00116b
Autor:
E. Wichmann, T. Hennen, Jeffrey S. Lille, Dirk J. Wouters, Daniel Bedau, Oleksandr Mosendz, A. Elias, Rainer Waser
Publikováno v:
Review of scientific instruments 92(5), 054701-(2021). doi:10.1063/5.0047571
Resistive switching devices, important for emerging memory and neuromorphic applications, face significant challenges related to control of delicate filamentary states in the oxide material. As a device switches, its rapid conductivity change is invo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::6aaee56453e870fbe97ab491fd9b0190
https://juser.fz-juelich.de/record/897221
https://juser.fz-juelich.de/record/897221
Resistive switching devices and other components with negative differential resistance (NDR) are emerging as possible electronic constituents of next-generation computing architectures. Due to the NDR effects exhibited, switching operations are stron
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::648c8bdb47a109167a8d6542e409b193
Autor:
Rick Galbraith, Daniel Bedau, Dirk J. Wouters, T. Hennen, J. A. J. Rupp, Chiu Pi-Feng, Won Ho Choi, Rainer Waser, Jonas A. Goode, Martin Lueker-Boden, Wen Ma
Publikováno v:
ISCAS
In this work, we use a Cr-doped V2O3 based Mott oscillator circuit to build a reservoir computing system that has much smaller model size than an equivalent LSTM. In contrast to an LSTM, our reservoir computing system can be trained very efficiently
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ac0faa76a573839024c03faa7bfa2a00
https://doi.org/10.1109/iscas45731.2020.9181105
https://doi.org/10.1109/iscas45731.2020.9181105
Autor:
Stefan Wiefels, Regina Dittmann, T. Hennen, Stephan Menzel, Carsten Funck, Susanne Hoffmann-Eifert, Rainer Waser, Christoph Bäumer
Publikováno v:
Physical Review B. 102
The presented study considers the electronic conduction across a $\mathrm{SrTi}{\mathrm{O}}_{3}\text{/}\mathrm{Pt}$ Schottky electrode in a resistive switching cell. It is generally accepted that the resistive switching effect is based on the migrati
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::88c184cdfd8236630ecb8050457f0ea7
https://doi.org/10.1103/physrevb.102.035307
https://doi.org/10.1103/physrevb.102.035307
Autor:
M. von Witzleben, Ulrich Böttger, T. Hennen, Rainer Waser, Andreas Kindsmüller, Stephan Menzel
Publikováno v:
Journal of applied physics 127(20), 204501-(2020). doi:10.1063/5.0003840
In this paper, we present an approach of measuring the SET kinetics of redox-based resistive memories at timescales below 100 ps. Automatic measurements with an RF pulse generator and a source measure unit allow the consecutive application of short e
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f0ad900ac2fd6d3f43727fad2cccf5d8
https://hdl.handle.net/2128/24956
https://hdl.handle.net/2128/24956
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
T. Hennen, Andreas Kindsmüller, Stephan Menzel, Rainer Waser, M. von Witzleben, Ulrich Böttger
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 130:169901
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::16f8dd1528baa6a996019f67b7813de7
https://doi.org/10.1063/5.0070134
https://doi.org/10.1063/5.0070134