Zobrazeno 1 - 10
of 22
pro vyhledávání: '"T. Gravier"'
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 33:211-216
Copper is attracting increasing interest as a material for interconnections in future high speed ULSI circuits because of its low electrical resisivity and high electromigration performance [1]. Obviously, copper metallization has entered the stage o
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 44:2091-2097
In this paper, we report the state-of-the-art results obtained in quasi-self-aligned (QSA) single polysilicon NPN bipolar transistors fabricated within a low-complexity 0.5-/spl mu/m CMOS process. Our devices demonstrate nearly ideal static character
Publikováno v:
Microelectronics Reliability. 36:1827-1830
A key issue in modern microelectronics is to improve and optimise device performance and reliability without excessively increasing fabrication costs. In this paper we will show how it is possible to improve the reliability of single-polysilicon quas
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 17:434-436
We demonstrate that fluorine incorporation in the polysilicon emitter of n-p-n double-diffused bipolar transistors during BF/sub 2/ implantation at a dose of 1/spl times/10/sup 15/ cm/sup -2/ significantly alters the device electrical characteristics
Autor:
T. Gravier, L. Ailloud, B. Blanchard, J. de Pontcharra, L. Vendrame, D. Thomas, E. Behouche, Alain Chantre
Publikováno v:
Proceedings of the 1997 Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.
A low cost high performance 0.5 /spl mu/m single-poly quasi self-aligned npn bipolar technology is described. The devices feature record f/sub T/ and f/sub max/ values of 30 GHz and 40 GHz respectively, with 4.2 V BV/sub CEO/ well into the range of p
Publikováno v:
Japanese Journal of Applied Physics. 38:4648
In this paper we investigate, in single-polysilicon quasi self-aligned bipolar transistors of an advanced 0.5 µm planar bipolar-complementary metal-oxide semiconductor (BiCMOS) technology, the base-emitter junction characteristics in reverse bias co
Autor:
Jean Kirtsch, André Granier, T. Gravier, Alain Chantre, Jorge Regolini, Marc Guillermet, Stephan Niel, Gilbert Vincent, Roland Pantel, Delphine Maury, André Grouillet
Publikováno v:
Japanese Journal of Applied Physics. 37:1781
Two innovative process technologies are introduced to overcome problems related to the downscaling of single-polysilicon self-aligned bipolar transistors. First, the use of a selective silicon deposition step before Ti salicidation of the structure i
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.