Zobrazeno 1 - 10
of 112
pro vyhledávání: '"T. Futatsuyama"'
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 48:35-38
We propose a novel technique of direct oxidation of Si surfaces using activated oxygen species which can react with Si surfaces to form SiO 2 at low temperatures ( < 500 °C). Specific oxidation mechanisms have been revealed, and the atomic level pla
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 1998 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Autor:
Zhang, Yannan1 (AUTHOR), He, Jiannan2 (AUTHOR), Yang, Zhe3 (AUTHOR), Zheng, Haofeng4 (AUTHOR), Deng, Haoxiang4 (AUTHOR), Luo, Zihuan4 (AUTHOR), Sun, Qipeng4 (AUTHOR), Sun, Qiquan1,4 (AUTHOR) sunqiquan@gdph.org.cn
Publikováno v:
Journal of Translational Medicine. 5/2/2023, Vol. 21 Issue 1, p1-16. 16p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kim, Seung Soo, Yong, Soo Kyeom, Kim, Whayoung, Kang, Sukin, Park, Hyeon Woo, Yoon, Kyung Jean, Sheen, Dong Sun, Lee, Seho, Hwang, Cheol Seong
Publikováno v:
Advanced Materials; 10/26/2023, Vol. 35 Issue 43, p1-22, 22p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kim, Seok Joo, Jung, Woo-Bin, Jung, Han Sae, Lee, Min-Hyun, Heo, Jinseong, Horgan, Adrian, Godron, Xavier, Ham, Donhee
Publikováno v:
MRS Bulletin; May2023, Vol. 48 Issue 5, p547-559, 13p
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.