Zobrazeno 1 - 10
of 1 204
pro vyhledávání: '"T. F. Yen"'
Autor:
James G. Speight
Publikováno v:
Energy Sources, Part A: Recovery, Utilization, and Environmental Effects. 30:285-285
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::4986a2c9ea92f34e542f03b8448961af
https://doi.org/10.1080/15567030701791790
https://doi.org/10.1080/15567030701791790
Publikováno v:
Energy Sources. 17:iii-iv
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8ea7049354285bfed95c6afa71b7c4f9
https://doi.org/10.1080/00908319508946106
https://doi.org/10.1080/00908319508946106
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Stacey G. Ward
Publikováno v:
Fuel. 56:461-461
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::445847756f93e4909d771bbd8c66214c
https://doi.org/10.1016/0016-2361(77)90084-9
https://doi.org/10.1016/0016-2361(77)90084-9
Autor:
W. Keim
Publikováno v:
Chemie Ingenieur Technik. 49:522-522
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f375e97afd863bd4c56af8d670a870a0
https://doi.org/10.1002/cite.330490624
https://doi.org/10.1002/cite.330490624
Autor:
Speight, James
Publikováno v:
Energy Sources, Part A: Recovery, Utilization, and Environmental Effects; November 1995, Vol. 17 Issue: 6 p3-4, 2p
Publikováno v:
Petroleum Science and Technology. 25:1347-1352
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b9b67e16e8bc6b3d3b082319feda55a9
https://doi.org/10.1080/10916460701287698
https://doi.org/10.1080/10916460701287698
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 84:1-6
Electron cyclotron resonance plasma with SF"6 and Cl"2 gas mixture were used for tungsten plug etch-back processes. The properties of electric contacts between tungsten plugs and Al/Ti/TiN interconnect lines, fabricated by this etching process, have
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8e6aff43a272c3e236a4800fb2cde450
https://doi.org/10.1016/j.mee.2006.07.002
https://doi.org/10.1016/j.mee.2006.07.002
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 82:129-135
Two types of masking methodologies for high aspect ratio deep contact hole etching, photo-resist (PR) masks only and poly-silicon hard masks (poly-HM), have been applied and studied. In order to understand the variation of plasma chemistries, the opt
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8986ea97e4b2c3a3b040feac59525589
https://doi.org/10.1016/j.mee.2005.07.001
https://doi.org/10.1016/j.mee.2005.07.001
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.