Zobrazeno 1 - 10
of 138
pro vyhledávání: '"T. Duffey"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jen-Shiang Wang, Josh Thornes, R. Burdt, Mason Eric Anders, Gregory Rechtsteiner, R. Rokitski, T. Bibby, M. Haviland, Daniel Brown, J. Melchior, D. Haran, T. Duffey, Tanuj Aggarwal
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
Semiconductor market demand for improved performance at lower cost continues to drive enhancements in excimer light source technologies. Increased output power, reduced variability in key light source parameters, and improved beam stability are requi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::584c23d0c1e76de842ebc1b0cfdbcc32
https://doi.org/10.1117/12.2048082
https://doi.org/10.1117/12.2048082
Autor:
Andrew C. Nicholas, P. W. Walker, T. Duffey, P. Jaffe, Phillip C. Kalmanson, K. M. Weldy, S. P. Lynch, Scott A. Budzien, Stefan E. Thonnard, Kenneth F. Dymond
Publikováno v:
Solar Physics and Space Weather Instrumentation.
The first of five Special Sensor Ultraviolet Limb Imager (SSULI) sensors was launched on the Defense Meteorological Satellite Program (DMSP) F16 spacecraft in October of 2003 into a sun-synchronous 830 km circular orbit at a local time of 0800-2000 U
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7e655d0a1dd7c31395cca762c8a3f296
https://doi.org/10.1117/12.618461
https://doi.org/10.1117/12.618461
Autor:
Mark E. Twigg, Eliezer Dovid Richmond, Syed B. Qadri, Michael T. Duffey, Joseph G. Pellegrino
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 56:2551-2553
Molecular beam epitaxy (MBE) of Si on sapphire (SOS) has dramatically different and superior properties compared to chemical vapor deposited (CVD) SOS. The strain in the Si epilayer decreases by 21%. A 40% higher electron Hall mobility occurs at room
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d4c530da88df6e4e6a026ac1d30a1175
https://doi.org/10.1063/1.102884
https://doi.org/10.1063/1.102884
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
