Zobrazeno 1 - 10
of 16
pro vyhledávání: '"T. Daenen"'
Autor:
Dimitri Linten, Stefaan Decoutere, Guido Groeseneken, W. Jeamsaksiri, A.J. Scholten, Steven Thijs, Robin Degraeve, M.I. Natarajan, T. Daenen
Publikováno v:
Microelectronics Reliability. 46:702-712
Design and implementation of ESD protection for a 5.5 GHz low noise amplifier (LNA) fabricated in a 90 nm RF CMOS technology is presented. An on-chip inductor, added as “plug-and-play”, is used as ESD protection for the RF pins. The consequences
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3dc1797e8a1cda85fecbf0eca3cfdae1
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2005.06.018
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2005.06.018
Autor:
Reed Gleason, Marc Van Dievel, Peter Hanaway, Bruno Knuts, Erik Jan Marinissen, T. Daenen, Kenneth R. Smith, Eric W. Strid, Mike Jolley, Luc H. Dupas
Publikováno v:
ITC
Practical silicon stacking requires pre-tested dies, but contact probing of TSV interconnects requires much higher density, lower probing forces, and lower cost per pin than conventional probe cards have achieved. This paper examines a cost-effective
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::429d3d41cdbfd848cee1b32e42cf5cd8
https://doi.org/10.1109/test.2011.6139180
https://doi.org/10.1109/test.2011.6139180
Autor:
A.J. Scholten, Guido Groeseneken, D. Linten, V. Vassilev, M.I. Natarajan, T. Daenen, Steven Thijs, Robin Degraeve, Piet Wambacq
Publikováno v:
2004 Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium.
Design and implementation of ESD protection for a 5.5 GHz Low Noise Amplifier (LNA) fabricated in a 90 nm RF CMOS technology is presented. An on-chip inductor, added as ldquoplug-and-playrdquo, is used as ESD protection for the RF pins. The consequen
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4e4376d6eb00dacdc763bd30e5908d10
https://doi.org/10.1109/eosesd.2004.5272635
https://doi.org/10.1109/eosesd.2004.5272635
Publikováno v:
2004 Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium.
A novel TLP testing approach, multilevel TLP (MTLP), is described, which can yield accurate and comprehensive snapback IV measurements unlike in the conventional TLP testing methodology with different system impedances. The experimental validity of t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b18c6bbffa83390f68f1d692dbfefbad
https://doi.org/10.1109/eosesd.2004.5272592
https://doi.org/10.1109/eosesd.2004.5272592
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Periodical
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Periodical
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.