Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"T. Cotler"'
Autor:
E. Eld, D. Sunderland, H. Ng, T. Cotler, S. Subbanna, B. Chen, Asit Kumar Ray, S. Wu, Emmanuel F. Crabbe, Jonathan Z. Sun, J. Snare, Vincent J. McGahay, L. Su, Kurt A. Tallman, M.J. Saccamango, J. Lasky, R. Schulz, Paul D. Agnello, Stephen E. Greco, Bijan Davari, A.J. Allen
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting. Technical Digest.
In this work, we demonstrate a 6.9 sq. /spl mu/m embedded SRAM cell in a 0.25 /spl mu/m physical design-rule salicide high-performance CMOS technology. The scalability of this salicide-CMOS embedded-SRAM technology is demonstrated by functionality of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c9fb7ecb85f9e8f74837c1dc548da5b5
https://doi.org/10.1109/iedm.1996.553583
https://doi.org/10.1109/iedm.1996.553583
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.