Zobrazeno 1 - 10
of 13 655
pro vyhledávání: '"T. Center"'
Autor:
Xiong, Yihuang, Zheng, Jiongzhi, McBride, Shay, Zhang, Xueyue, Griffin, Sinéad M., Hautier, Geoffroy
Quantum technologies would benefit from the development of high performance quantum defects acting as single-photon emitters or spin-photon interface. Finding such a quantum defect in silicon is especially appealing in view of its favorable spin bath
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2405.05165
Autor:
Islam, Fariba, Lee, Chang-Min, Harper, Samuel, Rahaman, Mohammad Habibur, Zhao, Yuqi, Vij, Neelesh Kumar, Waks, Edo
Publikováno v:
Nano Lett. 2024, 24, 1, 319
Silicon T centers present the promising possibility to generate optically active spin qubits in an all-silicon device. However, these color centers exhibit long excited state lifetimes and a low Debye-Waller factor, making them dim emitters with low
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2310.13808
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Lee, Chang-Min, Islam, Fariba, Harper, Samuel, Buyukkaya, Mustafa Atabey, Higginbottom, Daniel, Simmons, Stephanie, Waks, Edo
Publikováno v:
ACS Photonics 10, 3844 (2023)
Color centers in Si could serve as both efficient quantum emitters and quantum memories with long coherence times in an all-silicon platform. Of the various known color centers, the T center holds particular promise because it possesses a spin ground
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2308.04541
The T-center in silicon is a well-known carbon-based color center that has been recently considered for quantum technology applications. Using first principles computations, we show that the excited state is formed by a defect-bound exciton made of a
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2202.04149
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Bergeron, L., Chartrand, C., Kurkjian, A. T. K., Morse, K. J., Riemann, H., Abrosimov, N. V., Becker, P., Pohl, H. -J., Thewalt, M. L. W., Simmons, S.
Silicon is host to two separate leading quantum technology platforms: integrated silicon photonics as well as long-lived spin qubits. There is an ongoing search for the ideal photon-spin interface able to hybridize these two approaches into a single
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2006.08794
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 8, Pp 32365-32375 (2020)
For large-scale iris recognition tasks, the determination of classification thresholds remains a challenging task, especially in practical applications where sample space is growing rapidly. Due to the complexity of iris samples, the classification t
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/151e4732bf0e4c6c8b66b2a0223a7388
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.