Zobrazeno 1 - 10
of 581
pro vyhledávání: '"T. C. Kuo"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
M. Y. Tsai, T. C. Kuo
Publikováno v:
Journal of Electronic Packaging. 145
This paper aims to demonstrate the biaxial bending strength test on thin silicon dies using the classic ball-on-ring (BoR) test and discuss it in detail by comparing those results with the newly-proposed point load on elastic foundation (PoEF) test.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c01832e19694ad946abda7ca09be396b
https://doi.org/10.1115/1.4056717
https://doi.org/10.1115/1.4056717
Autor:
Ying-Chieh Wang, Hong-Yi Yang, Ikai Lo, Cheng-Da Tsai, Huei-Jyun Shih, Hui-Chun Huang, Mitch M. C. Chou, Louie Huang, Terence Wang, Ching T. C. Kuo
Publikováno v:
Recent Progress in Chemical Science Research Vol. 6 ISBN: 9788119054039
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::21935ba31bf09dad851dce402817b989
https://doi.org/10.9734/bpi/rpcsr/v6/3062c
https://doi.org/10.9734/bpi/rpcsr/v6/3062c
Autor:
Hong-Yi Yang, Ikai Lo, Cheng-Da Tsai, Ying-Chieh Wang, Huei-Jyun Shih, Hui-Chun Huang, Mitch M. C. Chou, Louie Huang, Terence Wang, Ching T. C. Kuo
Publikováno v:
Crystals, Vol 10, Iss 10, p 899 (2020)
Lattice relaxation on wurtzite GaN microdisks grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy was systematically studied. The lattice constants of GaN microdisks were evaluated from high-resolution transmission electron microscopy, and the anisotropi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c1641176122f48768e2ac50a737df302