Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

The 2018 GaN power electronics roadmap

Autor: Paul R. Chalker, Ruiyang Yu, Marleen Van Hove, Geoff Haynes, Enrico Zanoni, Jie Hu, Xu Li, Hiroshi Amano, Daniel Piedra, Hiroji Kawai, Min Sun, Martin Kuball, Qingyun Huang, L. Di Cioccio, Carlo De Santi, Rongming Chu, Matthew Charles, Yuhao Zhang, Rekha Reddy, Erwan Morvan, Joseph J. Freedsman, Akira Nakajima, Tomas Palacios, Thomas Heckel, Denis Marcon, Shu Yang, Stephen Oliver, A. Torres, Oliver Häberlen, Stefan Zeltner, Dan Kinzer, Marc Plissonnier, Vineet Unni, Iain G. Thayne, Gaudenzio Meneghesso, Patrick Fay, David J. Wallis, Mengyuan Hua, Chris Youtsey, Shuichi Yagi, Sheng Jiang, Alex Q. Huang, Louis J. Guido, Matteo Meneghini, Ashwani Kumar, Jingshan Wang, Dilini Hemakumara, Nicola Trivellin, Martin Marz, Jinqiao Xie, Nadim Chowdhury, Maria Merlyne De Souza, T Bouchet, Michael J. Uren, Bernd Eckardt, Ekkanath Madathil Sankara Narayanan, Peter A. Houston, K. B. Lee, Matteo Borga, Yannick Baines, Takashi Egawa, Robert McCarthy, Stefaan Decoutere, Kevin J. Chen

Publikováno v: Journal of Physics D: Applied Physics
Amano, H, Baines, Y, Beam, E, Borga, M, Bouchet, T, Chalker, P R, Charles, M, Chowdhury, N, Chu, R, De Santi, C, De Souza, M M, Decoutere, S, Di Cioccio, L, Eckardt, B, Egawa, T, Freedsman, J J, Guido, L, Häberlen, O, Haynes, G, Heckel, T, Hemakumara, D, Houston, P, Hu, J, Hua, M, Huang, Q, Huang, A, Jiang, S, Kawai, H, Kinzer, D, Kuball, M, Kumar, A, Lee, K B, Li, X, Marcon, D, März, M, McCarthy, R, Meneghesso, G, Meneghini, M, Morvan, E, Nakajima, A, Narayanan, E M S, Oliver, S, Palacios, T, Piedra, D, Plissonnier, M, Reddy, R, Sun, M, Thayne, I, Torres, A, Trivellin, N, Unni, V, Uren, M J, Van Hove, M, Wallis, D J, Xie, J, Yagi, S, Yang, S, Youtsey, C, Yu, R, Zanoni, E, Zeltner, S & Zhang, Y 2018, ' The 2018 GaN power electronics roadmap ', Journal of Physics D: Applied Physics, vol. 51, no. 16, 163001 . https://doi.org/10.1088/1361-6463/aaaf9d
Zhang, Yuhao

Gallium nitride (GaN) is a compound semiconductor that has tremendous potential to facilitate economic growth in a semiconductor industry that is silicon-based and currently faced with diminishing returns of performance versus cost of investment. At

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::50811b783af097d245ba2ba5b70676cb

Compression du nerf suprascapulaire chez le sportif: découvertes anatomiques et imagerie dans une série de dix cas opérés

Autor: J. B. Courroy, T. Bouchet, G. Daubinet, J. Rodineau, P. Thelen

Publikováno v: Journal de Traumatologie du Sport. 24:3-10

Resume L'etude clinique de dix cas chirurgicaux a permis de retrouver de nombreuses etiologies anatomiques du syndrome de compression du nerf suprascapulaire au niveau de l'incisure scapulaire, notamment dans cette population de jeunes sportifs lorsq

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d35f266e121c55262c42a1e9866d78da
https://doi.org/10.1016/j.jts.2007.01.022

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.