Zobrazeno 1 - 10
of 21
pro vyhledávání: '"T. Aton"'
Publikováno v:
1991 IEEE International SOI Conference Proceedings.
The authors present a method for investigating buried oxide defects after the initial patterning and etching of the superficial silicon layer on a SOI (silicon-on-insulator) wafer. This method is based on the principle of charged-induced scanning ele
Autor:
T. Aton, Hiep V. Tran
Publikováno v:
1995 International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications. Proceedings of Technical Papers.
The advent of low-power design has created a need for a metric (Figure of Merit) that is convenient to use in technical communications as well as a design guide. This paper examines a few common metrics for evaluating low-power CMOS circuit design ef
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods. 172:351-355
This paper describes the conversion of a light sensitive self-scanning silicon photodiode array into a soft X-ray detector. We combine a photodiode array, a UHV compatible soft X-ray sensitive phosphor and read out electronics. The detector has been
Publikováno v:
Physical Review B. 38:5511-5519
Electron-energy-loss measurements for an amorphous chemical-vapor-deposited silicon nitride film and evaporated sapphire in the broad energy range 1--200 eV are investigated. A method, not requiring the zero-loss peak, to remove the multiple scatteri
Publikováno v:
Inner-Shell and X-Ray Physics of Atoms and Solids ISBN: 9781461592389
We have developed a soft x-ray emission spectrograph for the energy region 20–800 eV. The spectrograph consists of a sample chamber, grating chamber and detector chamber connected together as a single UHV vacuum system with each chamber isola-table
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f3f08ce095927d2e351cf16c366cf34a
https://doi.org/10.1007/978-1-4615-9236-5_179
https://doi.org/10.1007/978-1-4615-9236-5_179
Publikováno v:
Physical review. B, Condensed matter. 31(8)
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 6:1953
Magnetic ‘‘in‐the‐lens’’ secondary electron spectrometers have shown dramatic improvements over conventional spectrometers for high‐resolution voltage measurements on very large scale integrated circuits. In particular, designs incorpor
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.