Zobrazeno 1 - 10
of 98
pro vyhledávání: '"T. Aichinger"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
P. Salmen, M.W. Feil, K. Waschneck, H. Reisinger, G. Rescher, I. Voss, M. Sievers, T. Aichinger
Publikováno v:
Microelectronics Reliability. 135:114575
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ae065e9269329b1e3d878bc135c1f9b0
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2022.114575
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2022.114575
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology. 1:1677-1684
Nearly all microelectromechanical systems nowadays include bipolar or metal oxide semiconductor (MOS) transistors. Those micro-electro-mechanical systems experience many temperature cycles during their life-time and may fail when the damage accumulat
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9c9231224de4b50846e3186b882e362d
https://doi.org/10.1109/tcpmt.2011.2163311
https://doi.org/10.1109/tcpmt.2011.2163311
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
T. Aichinger, M. Nelhiebel
Publikováno v:
2007 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report.
Since it is generally accepted that interface states play an important role in MOS device degradation (V. Huard et al., 2006), measurement tools like CP (charge pumping) gain more and more influence in interface characterization and reliability issue
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::13aa440eac5f79463dd1cc774a1612ae
https://doi.org/10.1109/irws.2007.4469223
https://doi.org/10.1109/irws.2007.4469223