Zobrazeno 1 - 10
of 595
pro vyhledávání: '"T. Aichinger"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
P. Salmen, M.W. Feil, K. Waschneck, H. Reisinger, G. Rescher, I. Voss, M. Sievers, T. Aichinger
Publikováno v:
Microelectronics Reliability. 135:114575
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology. 1:1677-1684
Nearly all microelectromechanical systems nowadays include bipolar or metal oxide semiconductor (MOS) transistors. Those micro-electro-mechanical systems experience many temperature cycles during their life-time and may fail when the damage accumulat
Autor:
Akbar, Ghulam1 (AUTHOR) ghulam.akbar@unipa.it, Di Fatta, Alessio1 (AUTHOR) alessio.difatta@unipa.it, Rizzo, Giuseppe1 (AUTHOR), Ala, Guido1 (AUTHOR), Romano, Pietro1 (AUTHOR) alessio.difatta@unipa.it, Imburgia, Antonino1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Energies (19961073). Nov2024, Vol. 17 Issue 22, p5793. 15p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.