Zobrazeno 1 - 10
of 266
pro vyhledávání: '"T-gate"'
Publikováno v:
East European Journal of Physics, Iss 4 (2023)
This paper presents a comprehensive investigation into the DC analog and AC microwave performance of a state-of-the-art T-gate double barrier AlGaN/AlInGaN/GaN MOSHEMT (Metal Oxide Semiconductor High Electron Mobility Transistor) implemented on a 4H-
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/47e320f505104c7f93810fc76e78b4e4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kaivan Karami, Aniket Dhongde, Huihua Cheng, Paul M. Reynolds, Bojja Aditya Reddy, Daniel Ritter, Chong Li, Edward Wasige, Stephen Thoms
Publikováno v:
Micro and Nano Engineering, Vol 19, Iss , Pp 100211- (2023)
We demonstrate the fabrication of sub-100 nm T-Gate structures using a single electron beam lithography exposure and a tri-layer resist stack - PMMA/LOR/CSAR. Recent developments in modelling resist development were used to design the process, in whi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9424c6c05d4d4cf3a1c11b16f2c9bbf6
Publikováno v:
New Journal of Physics, Vol 26, Iss 7, p 073052 (2024)
We aim to establish a scalable scheme for characterising diagonal non-Clifford gates for single- and multi-qudit systems; d is a prime-power integer. By employing cyclic operators and a qudit T gate, we generalise the dihedral benchmarking scheme for
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b62da0d809d740d78306fe3b0bba1b30
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 8, Pp 139156-139160 (2020)
To increase the radio-frequency (RF) performance of AlGaN/GaN-based fin-type high electron mobility transistors (HEMTs), a novel T-gate process was developed and applied to fabricate a device with high RF performance. In a single lithography process,
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f7ddc6afc1a5438ba3938f5f2ebfda3c
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.