Zobrazeno 1 - 10
of 51
pro vyhledávání: '"T Stimpel"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials Science and Technology. 18:721-724
It is well known that boron (B) forms surface phases if deposited on Si surfaces. One interesting phase is the so called √3 × √3-R30° boron surface phase (BSP) on Si(111). This surface phase is different from all other √3 × √3-R30° surfac
Publikováno v:
Materials Science and Engineering: B. 89:394-398
In this study, the growth of fullerene C 60 on Si(1 1 1) surfaces was investigated. Due to the high density of dangling bonds on the Si(1 1 1)–7×7 surface and the resulting low-surface mobility of C 60 , neither the growth of monocrystalline layer
Publikováno v:
Applied Surface Science. :384-389
It is well known that boron (B) forms two-dimensional superstructures (surface phases) if deposited on clean Si surfaces. One interesting phase is the so-called √3 X /3 - R30° boron surface phase (BSP) on Si(111). Only a few facts are known about
Publikováno v:
Applied Surface Science. :332-339
Due to the crystallographic identity of Si and Ge, a very interesting system for the preparation of quantum dot arrays is a Ge deposition on top of a cleaned Si surface. The critical thickness for relaxation of the Ge layer on Si amounts to We will s