Zobrazeno 1 - 10
of 634
pro vyhledávání: '"T Irisawa"'
Autor:
T. Irisawa, N. Okada, W. Mizubayashi, T. Mori, W.-H. Chang, K. Koga, A. Ando, K. Endo, S. Sasaki, T. Endo, Y. Miyata
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 6, Pp 1159-1163 (2018)
Position and growth direction control in chemical vapor deposition (CVD) of WS2 and SnS2 by using patterned Si/SiO2 substrates has been demonstrated. It was found that step edges effectively worked as crystal nuclei and lateral crystal growth from th
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/88dd6a6f706b487897c0a41b60b08c2b
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
N. Tezuka, S. Oikawa, M. Matsuura, S. Sugimoto, K. Nishimura, T. Irisawa, Y. Nagamine, K. Tsunekawa
Publikováno v:
AIP Advances, Vol 8, Iss 5, Pp 055922-055922-5 (2018)
The authors investigated the voltage control of a magnetic anisotropy field for perpendicular-magnetic tunnel junctions (p-MTJs) with low and high resistance-area (RA) products and for synthetic antiferromagnetic free and pinned layers. It was found
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a3b75e4f348e4d86aaedf24fda4c14b9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A.Y. Taniguchi, Y. Kawaguchi, Y. Mitsui, Ken Takahata, S. Kawabata, M. Yoshida, T. Irisawa, Z. Nishio, Y. Kiryu, Tadashi Ishikawa, H. Noguchi, Hirosuke Shinohara, Y. Mitarai, H. Fujisawa, H. Mizumura, K. Tada, M. Kazami, Tadashi Baba, O.K. Kim, K. Niwa
Publikováno v:
Acta Horticulturae. :43-50
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fd2c4cbd224c83d90bd24d1a4415c4ad
https://doi.org/10.17660/actahortic.2020.1299.7
https://doi.org/10.17660/actahortic.2020.1299.7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
K. Endo, Kazuhiro Koga, Takahiko Endo, Wen-Hsin Chang, T. Irisawa, Naoya Okada, S. Sasaki, W. Mizubayashi, Atsushi Ando, Takahiro Mori, Yasumitsu Miyata
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society. 6:1159-1163
Position and growth direction control in chemical vapor deposition (CVD) of WS2 and SnS2 by using patterned Si/SiO2 substrates has been demonstrated. It was found that step edges effectively worked as crystal nuclei and lateral crystal growth from th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::399df8d79decdbdf11c8e674c222f50a
https://doi.org/10.1109/jeds.2018.2870893
https://doi.org/10.1109/jeds.2018.2870893