Zobrazeno 1 - 10
of 198
pro vyhledávání: '"T Hantschel"'
Autor:
P. Lagrain, K. Paulussen, E. Grieten, G. Van den Bosch, S. Rachidi, D. Yudistira, L. Wouters, T. Hantschel
Publikováno v:
Micro and Nano Engineering, Vol 23, Iss , Pp 100247- (2024)
Focused ion beam (FIB) has become a powerful tool for transmission electron microscopy sample preparation in the nanoelectronics industry and has in recent years also shown its benefits for specific preparation steps in electrical scanning probe micr
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d5a4ea81a68e4d849bd039a490c67128
Publikováno v:
Micro and Nano Engineering, Vol 19, Iss , Pp 100195- (2023)
The continuous downscaling of nanoelectronics devices requires metrology solutions with sub-nanometer spatial resolution. Electrical scanning probe microscopy (E-SPM) techniques such as scanning spreading resistance microscopy have become important t
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/715ad98c010949c88672d4670f196db2
Autor:
T. Nuytten, J. Bogdanowicz, L. Witters, G. Eneman, T. Hantschel, A. Schulze, P. Favia, H. Bender, I. De Wolf, W. Vandervorst
Publikováno v:
APL Materials, Vol 6, Iss 5, Pp 058501-058501-6 (2018)
The continued importance of strain engineering in semiconductor technology demands fast and reliable stress metrology that is non-destructive and process line-compatible. Raman spectroscopy meets these requirements but the diffraction limit prevents
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3e32e14132ee4fffbb250fe3586355c3
Publikováno v:
84th EAGE Annual Conference & Exhibition.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6139f01454c79f97971fd1dc80b31dfd
https://doi.org/10.3997/2214-4609.2023101235
https://doi.org/10.3997/2214-4609.2023101235
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A. D. L. Humphris, J. Goulden, J. P. Hole, M. Tedaldi, T. Hantschel, U. Celano, C. O'Sullivan, C. Drilakis
Publikováno v:
2021 IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::27fce2beb10e5b729ed4f46a8a0d80b2
https://doi.org/10.1109/ipfa53173.2021.9617432
https://doi.org/10.1109/ipfa53173.2021.9617432
Autor:
T. Fuchs, T. Hantschel, C. Peng, J. Dai, A. Parent, I. Guerra, D. Smith, M. O’Briain, C. Shih
Publikováno v:
82nd EAGE Annual Conference & Exhibition.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7238b4d33ceb8b87691710d38532458c
https://doi.org/10.3997/2214-4609.202011804
https://doi.org/10.3997/2214-4609.202011804
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.