Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"T Hackbath"'
Autor:
U. Konig, A. Vilches, D.G. Haigh, K. Michelakis, Christos Papavassiliou, Kristel Fobelets, T Hackbath
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 48:1423-1431
In this paper, intrinsic device parameters, directly extracted from buried-channel n-HMODFET devices biased at micropower supply levels are presented. Sub-threshold region peaks in plots of intrinsic transit frequency and transconductance vs. bias cl
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.