Zobrazeno 1 - 10
of 312
pro vyhledávání: '"T H Hou"'
Autor:
K.-Y. Hsiang, J.-Y. Lee, Z.-F. Lou, F.-S. Chang, Y.-C. Chen, Z.-X. Li, M. H. Liao, C. W. Liu, T.-H. Hou, P. Su, M. H. Lee
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 70:2142-2146
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ab99eab5aad76f851d2ad5b8c86ab5b7
https://doi.org/10.1109/ted.2023.3238364
https://doi.org/10.1109/ted.2023.3238364
Autor:
K.-Y. Hsiang, C.-Y. Liao, J.-H. Liu, C.-Y. Lin, J.-Y. Lee, Z.-F. Lou, F.-S. Chang, W.-C. Ray, Z.-X. Li, H.-C. Tseng, C.-C. Wang, M. H. Liao, T.-H. Hou, M. H. Lee
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 43:1850-1853
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::32d769bfc4175956bb62112231794890
https://doi.org/10.1109/led.2022.3204445
https://doi.org/10.1109/led.2022.3204445
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
K.-Y. Hsiang, J.-Y. Lee, Z.-F. Lou, F.-S. Chang, Z.-X. Li, C. W. Liu, T.-H. Hou, P. Su, M. H. Lee
Publikováno v:
2023 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bf9097f3ee3223f37b0a39669ac2f85b
https://doi.org/10.1109/irps48203.2023.10118311
https://doi.org/10.1109/irps48203.2023.10118311
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Z.-F. Lou, C.-Y. Liao, K.-Y. Hsiang, C.-Y. Lin, Y.-D. Lin, P.-C. Yeh, C.-Y. Wang, H.-Y. Yang, P.-J. Tzeng, T.-H. Hou, Y.-T. Tang, M. H. Lee
Publikováno v:
2022 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications (VLSI-TSA).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5b0908aa8ff3362f449496c0ee2beac6
https://doi.org/10.1109/vlsi-tsa54299.2022.9771012
https://doi.org/10.1109/vlsi-tsa54299.2022.9771012
Autor:
K.-Y. Hsiang, C.-Y. Liao, Y.-Y. Lin, Z.-F. Lou, C.-Y. Lin, J.-Y. Lee, F.-S. Chang, Z.-X. Li, H.-C. Tseng, C.-C. Wang, W.-C. Ray, T.-H. Hou, T.-C. Chen, C.-S. Chang, M. H. Lee
Publikováno v:
2022 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::31a24930702f8ee148f8e2d0083f4de5
https://doi.org/10.1109/irps48227.2022.9764533
https://doi.org/10.1109/irps48227.2022.9764533
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.