Zobrazeno 1 - 10
of 20
pro vyhledávání: '"T Farjot"'
Autor:
C Thomas, J-P Michel, E Deschaseaux, J Charbonnier, R Souil, E Vermande, A Campo, T Farjot, G Rodriguez, G Romano, F Gustavo, B Jadot, V Thiney, Y Thonnart, G Billiot, T Meunier, M Vinet
To reach large-scale quantum computing, three-dimensional integration of scalable qubit arrays and their control electronics in multi-chip assemblies is promising. Within these assemblies, the use of superconducting interconnections, as routing layer
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::7e16e5031af65a2a6ac5a0eac935d2e7
http://arxiv.org/abs/2206.09727
http://arxiv.org/abs/2206.09727
Influence of substrate-induced thermal stress on the superconducting properties of V 3 Si thin films
Autor:
F. Lefloch, F. Gustavo, Tomas Kubart, Patrice Gergaud, T. D. Vethaak, Shi-Li Zhang, Fabrice Nemouchi, T. Farjot
Publikováno v:
Journal of Applied Physics
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2021, 129 (10), pp.105104. ⟨10.1063/5.0038638⟩
Journal of Applied Physics, 2021, 129 (10), pp.105104. ⟨10.1063/5.0038638⟩
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2021, 129 (10), pp.105104. ⟨10.1063/5.0038638⟩
Journal of Applied Physics, 2021, 129 (10), pp.105104. ⟨10.1063/5.0038638⟩
Thin films of superconducting V$_3$Si were prepared by means of RF sputtering from a compound V$_3$Si target at room temperature onto sapphire and oxide-coated silicon wafers, followed by rapid thermal processing under secondary vacuum. The supercond
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::33c5742c504ecce4e090f47d5b743dcb
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03166557
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03166557
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
H. Achard, L. Ulmer, F. Ducroquet, M.E. Nier, S. Tedesco, F. Coudert, T. Farjot, J.-F. Lugand, M. Heitzmann, Simon Deleonibus, Y. Gobil, Bernard Previtali
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 48:1816-1821
Full chemical mechanical polishing (CMP) process integration of a W/TiN damascene metal gate has been optimized and is demonstrated to be compatible with ULSI circuit fabrication. Highly uniform and reliable electrical characteristics are achieved fo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::609417f974aed9c290307a4a99e6799e
https://doi.org/10.1109/16.936712
https://doi.org/10.1109/16.936712
Autor:
S. Jullian, D. Delille, Yves Morand, R. Pantel, T. Farjot, V. Carron, C. Laviron, Florian Cacho, Benoit Froment, D. Bensahel, Abdelkader Souifi, D. Aime, N. Emonet, Aomar Halimaoui, Marc Juhel, R. Molins, Francois Wacquant, S. Descombes
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Micro-Electronics and Micro-Systems, 2005. EuroSimE 2005.
Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest
Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest, 2004, pp.87-90, ⟨10.1109/IEDM.2004.1419073⟩
Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Micro-Electronics and Micro-Systems, 2005. EuroSimE 2005.
Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest
Electron Devices Meeting, 2004. IEDM Technical Digest, 2004, pp.87-90, ⟨10.1109/IEDM.2004.1419073⟩
International audience; A wide workfunction (/spl Phi//sub m/) tuning range from 4.29eV to 4.99eV using total silicidation of doped polysilicon gate with nickel is presented. As, B and P but also N, Ge, Sb, In and co-implants, have been investigated
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::2a8c5bd6cf15c0b77728d2e626b67fee
https://doi.org/10.1109/iedm.2004.1419073
https://doi.org/10.1109/iedm.2004.1419073
Autor:
T. Farjot, F. Ducroquet, M.E. Nier, S. Tedesco, Bernard Previtali, Y. Gobil, M. Heitzmann, L. Ulmer, Simon Deleonibus, J.-F. Lugand, F. Coudert, H. Achard
Publikováno v:
30th European Solid-State Device Research Conference.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3070f749415614370b460bf23ced4f90
https://doi.org/10.1109/essderc.2000.194801
https://doi.org/10.1109/essderc.2000.194801
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.