Zobrazeno 1 - 10
of 316
pro vyhledávání: '"T, Takewaki"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
H. Oguma, T. Bolom, Y. Oda, S. O. Kim, C. Child, S. Allen, G. Bonilla, R. Schiwon, B. Kim, G. Osborne, B. Sundlof, T. Takewaki, E. Kaltalioglu, A. Grill, Q. Fang, D. Edelstein, H. Aizawa, T. Oki, B. Engel, A. Thomas, G. Ribes, S. Hirooka, G. Biery, K. Fujii, S. Molis, H. Sheng, R. Augur, M. Pallachalil, H. Shobha, D. Restaino, H. Masuda, J. H. Ahn, D. Kioussis, Terry A. Spooner, G. Zhang, L. Clevenger, Chao-Kun Hu, R. Quon, Stephen M. Gates, A. Simon, B. Hamieh, Paulo Ferreira, S. M. Singh, E. T. Ryan, R. Sampson, T. Fryxell, A. Ogino, H. Minda, B. Sapp, Richa Gupta, C. Labelle, T. Nogami, E. Wornyo, E. Shimada, T. Daubenspeck, T. J. Tang, T. Shaw, D. Permana, R. Srivastava
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 92:42-44
A cost effective 28nm CMOS Interconnect technology is presented for 28nm node high performance and low power applications. Full entitlement of ultra low-k (ULK) inter-level dielectric is enabled. Copper wiring levels can be combined up to a total of
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials Chemistry and Physics. 41:182-191
When Cu films are grown on SiO 2 by a low-energy ion bombardment process under a sufficient energy deposition, the film exhibits almost perfect crystal orientation conversion from Cu(111) to Cu(200) upon post-metallization thermal annealing, which is
Publikováno v:
ChemInform. 23
Fomnation of giant-grain copper thin films on SiO 2 by a low-kinetic energy particle process followed by thermal annealing has been investigated. When Cu films are grown on SiO 2 by the process under a sufficient amount of energy deposition, they exh
Publikováno v:
Neurogastroenterology and motility : the official journal of the European Gastrointestinal Motility Society. 22(10)
We have previously demonstrated that a centrally penetrant ghrelin receptor agonist enhances colorectal motility, through activation of the lumbo-sacral defecation center (L6-S1 region of the spinal cord) in rats. In the present study, we examined th