Zobrazeno 1 - 10
of 251
pro vyhledávání: '"T, Grzela"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Leszek Jurczyszyn, Marian W. Radny, A. Puchalska, Wojciech Koczorowski, T. Grzela, Steven R. Schofield, Ryszard Czajka, Neil J. Curson
Publikováno v:
Physical Review B. 93
We characterize the incorporation of Ba adatoms into the Ge(001) surface, resulting in the formation of one-dimensional structures with an internal 2×3 periodicity, after the deposition of Ba atoms at 970 K or at room temperature followed by a 770 K
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::280a160c6dc8357f92c29d2b4d978860
https://doi.org/10.1103/physrevb.93.195304
https://doi.org/10.1103/physrevb.93.195304
Autor:
Neil J. Curson, Marian W. Radny, T. Grzela, Wojciech Koczorowski, Ryszard Czajka, A. Puchalska, Leszek Jurczyszyn, Steven R. Schofield
Publikováno v:
Physical Review B. 91
An ordered alkaline-earth submonolayer on a clean $\mathrm{Si}(001)$ surface provides a template for growth of the atomically sharp, crystalline Si-oxide interface that is ubiquitous in the semiconductor device industry. It has been suggested that su
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::022f90a2c3689b2deb174ec9bf411870
https://doi.org/10.1103/physrevb.91.235319
https://doi.org/10.1103/physrevb.91.235319
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.