Zobrazeno 1 - 10
of 128
pro vyhledávání: '"Szentpáli, B."'
Publikováno v:
In Vacuum 2003 71(1):113-116
Publikováno v:
In Materials Science & Engineering B 2001 80(1):257-261
Autor:
Horváth, Zs.J. *, Van Tuyen, Vo, Franchi, S., Bosacchi, A., Frigeri, P., Gombia, E., Mosca, R., Pal, D., Kalmár, I., Szentpáli, B.
Publikováno v:
In Materials Science & Engineering B 2001 80(1):248-251
We investigated the effect of 0.65 MeV electron irradiation on the transport parameters of GaAs FATFETs with an S-doped active channel of thickness 0.2 μm to 5 μm. We measured mainly the drift mobility and carrier concentration profile at severall
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2127::6e63820706d07b8e2889e49b490d4f8d
https://pergamos.lib.uoa.gr/uoa/dl/object/uoadl:3075566
https://pergamos.lib.uoa.gr/uoa/dl/object/uoadl:3075566
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.