Zobrazeno 1 - 10
of 133
pro vyhledávání: '"Synchronous dynamic random-access memory"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
The Journal of Engineering (2019)
Matrix transposition is a very critical operation in synthetic aperture radar (SAR) imaging systems. This study presents an improved corner turning memory solution for real-time SAR imaging processing. Based on the sub-matrix three-dimensional mappin
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7e2c383f3fa2412db93881ac15a9cda3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Russian Aeronautics. 64:330-336
In the paper the high-speed architecture of built-in self test (BIST) for double data rate synchronous dynamic random access memory (DDR SDRAM) is proposed. The BIST proposed can make self testing at its operating frequency that improves the reliabil
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kwangsun Ryu, Mi-Young Park, Jang-Soo Chae, In Lee, Yukio Uchihori, Hisashi Kitamura, Takeshi Takashima
Publikováno v:
Journal of Astronomy and Space Sciences, Vol 29, Iss 3, Pp 315-320 (2012)
We developed a mass-memory chip by staking 1 Gbit double data rate 2 (DDR2) synchronous dynamic random access memory (SDRAM) memory core up to 4 Gbit storage for future satellite missions which require large storage for data collected during the miss
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c5d981b92fe949508b33ec1c5e046ff6
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 66:2408-2416
A new algorithmic approach yields insights into the relationship between predicted and on-orbit synchronous dynamic random access memory (SDRAM) error rates on the Van Allen Probes. This article describes more than 5.5 years of data on Solid State Re
Autor:
Wooyoung Jang
Publikováno v:
IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems. 27:2387-2400
In this paper, we present a memory subsystem for a burst that is unaligned to a block of synchronous dynamic random access memory (SDRAM) columns. In the case that a processor demands such an unaligned burst, a memory subsystem is required to rearran
Autor:
Kyoung-Jae Soh, Kwang-Il Park, Byungsub Kim, Won-Cheol Lee, Young-Soo Sohn, Jae-Yoon Sim, Ensung Seo, Min-Kyun Chae, Hong-June Park
Publikováno v:
IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology. 9:336-342
A parallel branching synchronous dynamic random access memory (SDRAM) channel with write-direction impedance matching (parallel branching with write-direction impedance matching (PBIM)) is proposed for an 8-drop 6.4-Gb/s SDRAM interface. The 8-drop P