Zobrazeno 1 - 10
of 896
pro vyhledávání: '"Switching the MOSFET"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2022 14th International Conference on Information Technology and Electrical Engineering (ICITEE).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::70443fc1cc2228697b76fe67eed40758
https://doi.org/10.1109/icitee56407.2022.9954115
https://doi.org/10.1109/icitee56407.2022.9954115
Publikováno v:
IEEE Transactions on Power Electronics. 34:5175-5190
Although SiC- mosfet has significant advantages on switching performance over traditional Si-IGBT, the switching loss of SiC- mosfet devices at hard switching rises quickly with the increment in the switching frequency. This has narrowed down further
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5657a57b8f2f5396214fb2b010e62079
https://doi.org/10.1109/tpel.2018.2866824
https://doi.org/10.1109/tpel.2018.2866824
Publikováno v:
IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics. 7:722-735
This paper proposes a novel zero-voltage-switching (ZVS) three-phase four-wire back-to-back (BTB) converter topology and its ZVS sinusoidal pulsewidth modulation (ZVS-SPWM) scheme. With the proposed ZVS-SPWM scheme, all the main switches in both the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::dfc2d7f33ce692e6775a9338e3945801
https://doi.org/10.1109/jestpe.2019.2900232
https://doi.org/10.1109/jestpe.2019.2900232
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
22nd International Symposium on High Voltage Engineering (ISH 2021).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4284530542ed2a3088adc97d6c296aa5
https://doi.org/10.1049/icp.2022.0407
https://doi.org/10.1049/icp.2022.0407
Design considerations for charge‐compensated fast‐switching power MOSFET in the medium‐voltage range
Publikováno v:
IET Power Electronics. 11:638-645
Low-voltage power metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) based on charge compensation using a field plate offer a significant reduction of the area-specific on-resistance. The extension of their blocking capability into the so-c
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::03c678bcf68faa121fcef69d2bb9d2e6
https://doi.org/10.1049/iet-pel.2017.0385
https://doi.org/10.1049/iet-pel.2017.0385
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.