Zobrazeno 1 - 10 of 92 pro vyhledávání: '"Swanson, M. L."'
1
Akademický článek
In situ doping by As ion implantation of silicon grown by molecular-beam epitaxy.
Autor: Denhoff, M. W., Houghton, D. C., Jackman, T. E., Swanson, M. L., Parikh, N. R.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/15/1988, Vol. 64 Issue 8, p3938, 7p, 2 Diagrams, 5 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Surface alloying in stainless steel and Ni-20% Fe by pulsed laser irradiation.
Autor: Laursen, T., Whitton, J. L., Nilson, J. A., Nip, Wing, Mitchell, I. V., Plattner, H. H., Swanson, M. L.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 4/15/1987, Vol. 61 Issue 8, p3061, 10p, 4 Charts, 13 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Orientation of the electric-field gradient arising from a vacancy in Hg0.79Cd0.21Te.
Autor: Hughes, Wm. C., Austin, J. C., Swanson, M. L.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/15/1993, Vol. 74 Issue 8, p4943, 5p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Transition between Ge segregation and trapping during high-pressure oxidation of GexSi1-x/Si.
Autor: Frey, E. C., Yu, N., Patnaik, B., Parikh, N. R., Swanson, M. L., Chu, W. K.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/1/1993, Vol. 74 Issue 7, p4750, 6p, 2 Diagrams, 1 Chart, 3 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Perturbed angular correlation studies of dopant atom interactions in silicon.
Autor: Wichert, Th., Swanson, M. L.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/1/1989, Vol. 66 Issue 7, p3026, 12p, 1 Diagram, 3 Charts, 18 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Photoconductivity in Neutron-Irradiated p-Type Si.
Autor: Cheng, L. J., Swanson, M. L.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; May1970, Vol. 41 Issue 6, p2627-2635, 9p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Structure and thermodynamic behavior of In −2V Ag , defects in AgBr.
Autor: Austin, J. C., Price, K. J., Patnaik, B. K., Swanson, M. L.
Publikováno v: Radiation Effects & Defects in Solids; Dec1995, Vol. 134 Issue 1-4, p385-388, 4p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Vacancy trapping in Cu-0.1 at.% In.
Autor: Swanson, M L, Howe, L M, Quenneville, A F, Wichert, T, Deicher, M
Publikováno v: Journal of Physics F: Metal Physics; 1984, Vol. 14 Issue 7, p1603-1618, 16p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Channelling measurements of the trapping of Al interstitial atoms by Ge atoms in an Al-0.1% Ge crystal.
Autor: Swanson, M L, Howe, L M, Quenneville, A F, Offermann, P, Ecker, K H
Publikováno v: Journal of Physics F: Metal Physics; 1980, Vol. 10 Issue 4, p599-610, 12p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
The study of lattice defects by channelling.
Autor: Swanson, M L
Publikováno v: Reports on Progress in Physics; 1982, Vol. 45 Issue 1, p47-93, 47p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje