Zobrazeno 1 - 10
of 86
pro vyhledávání: '"Swallow, Jack"'
Autor:
Poletayev, Andrey D., Green, Robert J., Swallow, Jack E. N., An, Lijin, Jones, Leanne, Harris, Grant, Bencok, Peter, Sutarto, Ronny, Cottom, Jonathon P., Morgan, Benjamin J., House, Robert A., Weatherup, Robert S., Islam, M. Saiful
Nickelate materials offer diverse functionalities for energy and computing applications. Lithium nickel oxide (LiNiO$_2$) is an archetypal layered nickelate, but the electronic structure of this correlated material is not yet fully understood. Here w
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2211.09047
Autor:
Ratcliff, Laura E., Oshima, Takayoshi, Nippert, Felix, Janzen, Benjamin M., Kluth, Elias, Goldhahn, Rüdiger, Feneberg, Martin, Mazzolini, Piero, Bierwagen, Oliver, Wouters, Charlotte, Nofal, Musbah, Albrecht, Martin, Swallow, Jack E. N., Jones, Leanne A. H., Thakur, Pardeep K., Lee, Tien-Lin, Kalha, Curran, Schlueter, Christoph, Veal, Tim D., Varley, Joel B., Wagner, Markus R., Regoutz, Anna
Ga$_2$O$_3$ and its polymorphs are attracting increasing attention. The rich structural space of polymorphic oxide systems such as Ga$_2$O$_3$ offers potential for electronic structure engineering, which is of particular interest for a range of appli
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2205.04412
Autor:
Zelenkova, Reena, Swallow, Jack, Chamikara, M. A. P., Liu, Dongxi, Chhetri, Mohan Baruwal, Camtepe, Seyit, Grobler, Marthie, Almashor, Mahathir
Biometric data, such as face images, are often associated with sensitive information (e.g medical, financial, personal government records). Hence, a data breach in a system storing such information can have devastating consequences. Deep learning is
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2202.10320
Autor:
Swallow, Jack E. N., Vorwerk, Christian, Mazzolini, Piero, Vogt, Patrick, Bierwagen, Oliver, Karg, Alexander, Eickhoff, Martin, Schörmann, Jörg, Wagner, Markus R., Roberts, Joseph W., Chalker, Paul R., Smiles, Matthew J., Murgatroyd, Philip A. E., Razek, Sara A., Lebens-Higgins, Zachary W., Piper, Louis F. J., Jones, Leanne A. H., Thakur, Pardeep Kumar, Lee, Tien-Lin, Varley, Joel B., Furthmüller, Jürgen, Draxl, Claudia, Veal, Tim D., Regoutz, Anna
Publikováno v:
Chemistry of Materials 32, 8460 2020
The search for new wide band gap materials is intensifying to satisfy the need for more advanced and energy efficient power electronic devices. Ga$_2$O$_3$ has emerged as an alternative to SiC and GaN, sparking a renewed interest in its fundamental p
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2005.13395
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.